Код документа: RU2010136662A
1. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий: ! - формирование первого трафаретного слоя (20А), охватывающего заданный участок на подложке, ! - выполнение в первом трафаретном слое (20А) системы первых отверстий (O1), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки, ! - формирование в первых отверстиях (O1) первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А), ! - формирование второго трафаретного слоя (20В), охватывающего указанный участок, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А), ! - выполнение во втором трафаретном слое (20В) системы вторых отверстий (O2), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки, ! - формирование во вторых отверстиях (O2) вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В), ! - формирование третьего трафаретного слоя (20С), охватывающего указанный участок, поверх первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А и 40В), ! - выполнение в третьем трафаретном слое (20С) системы третьих отверстий (O3), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и ! - формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40С, 50С). ! 2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждое из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий не перекрывается ни с одним другим из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий. ! 3. Способ по п.2, характ�