Атомно-слоевое осаждение с плазменным источником - RU2013148923A

Реферат

1. Способ, включающий:эксплуатацию реактора плазменного атомно-слоевого осаждения, конфигурация которого обеспечивает осаждение материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций, иобеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в расширительное устройство для подачи радикалов, открывающееся в реакционную камеру, по существу в течение всего цикла осаждения.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтообеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник осуществляют в течение периода импульса плазменного прекурсора, входящего в период плазменного атомно-слоевого осаждения, причем газ в течение этого периода импульса функционирует как газ-носитель для генерируемых радикалов.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтообеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник осуществляют в течение периода продувки, входящего в период плазменного атомно-слоевого осаждения, причем газ в течение этого периода продувки функционирует как продувочный и инертный защитный газ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтообеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник осуществляют как в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения, так и в период термического атомно-слоевого осаждения.5. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтообеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подач�