Система и способ контроля рабочего состояния igbt-устройства в реальном времени - RU2013100947A

Реферат

1. Система (20) для определения температуры полупроводникового перехода и/или оставшегося срока эксплуатации IGBT-устройства (12), содержащая:- дифференцирующий блок (21) для приема характеристики напряжения (V) затвор-эмиттер IGBT-устройства (12), которая должна быть измерена, и для дифференцирования характеристики напряжения (V) затвор-эмиттер, чтобы получать импульсы, коррелирующие с фронтами, сформированными фазой участка заряда емкости Миллера во время фазы выключения IGBT-устройства (12);- блок (23) таймера для измерения временной задержки (t) между полученными импульсами, указывающими начало и конец фазы участка заряда емкости Миллера во время фазы выключения IGBT-устройства (12);- блок (25) вычисления температуры полупроводникового перехода для определения температуры полупроводникового перехода и/или оставшегося срока эксплуатации IGBT-устройства (12) на основе измеренной временной задержки (t).2. Система (20) по п.1, в которой блок (25) вычисления температуры полупроводникового перехода выполнен с возможностью определять температуру (T) полупроводникового перехода IGBT-устройства (12) на основе измеренной временной задержки (t) и напряжения (V) коллектор-эмиттер IGBT-устройства (12, 13) и тока IGBT-устройства.3. Система (20) по п.2, в которой блок (25) вычисления температуры полупроводникового перехода выполнен с возможностью определять температуру (T) полупроводникового перехода IGBT-устройства (12) и/или указание оставшегося срока эксплуатации посредством заданной справочной таблицы или заданной функции.4. Система (20) по п.1, в которой блок (24) обнаружения амплитуды сигнала и блок (22) сравнения сконфигурированы с возможностью выбирать импульсы, указ