Устройство со светоизлучающим диодом ультрафиолетового излучения - RU2009148876A

Реферат

1. Устройство ультрафиолетового излучения, которое содержит участок основания, множество полупроводниковых структур, соединенных с участком основания, и прозрачный для ультрафиолетового излучения элемент, соединенный с множеством полупроводниковых структур. ! 2. Устройство по п.1, в котором каждая полупроводниковая структура содержит по меньшей мере один слой, содержащий полупроводниковый материал. ! 3. Устройство по п.1, в котором каждая полупроводниковая структура содержит множество слоев, причем каждый слой содержит полупроводниковый материал. ! 4. Устройство по одному из пп.2 или 3, в котором полупроводниковый материал содержит элемент, выбранный из группы, в которую входят GaN, InN, InGaN, AlInGaN, AlN, AlGaN и их смеси. ! 5. Устройство по п.1, в котором каждая полупроводниковая структура содержит первый слой, содержащий первый полупроводниковый материал, и второй слой, содержащий второй полупроводниковый материал. ! 6. Устройство по п.5, в котором первый слой электрически подключен к участку основания при помощи первого контактного элемента. ! 7. Устройство по п.5, в котором второй слой электрически подключен к участку основания при помощи второго контактного элемента. ! 8. Устройство по п.5, в котором первый слой электрически подключен к участку основания при помощи первого контактного элемента, а второй слой электрически подключен к участку основания при помощи второго контактного элемента. ! 9. Устройство по одному из пп.5-8, в котором первый полупроводниковый материал и второй полупроводниковый материал независимо выбраны из группы, в которую входят GaN, InN, InGaN, AlInGaN, AlN, AlGaN и их смеси. ! 10. Устройство по п.1, в котором прозрачный �