Формула
1. Реактор для снижения количества патогенных микроорганизмов в жидкости, причем указанный реактор содержит:
(b) вход во внутреннюю полость;
(c) две расположенные на расстоянии одна от другой стенки, при этом каждая из расположенных на расстоянии одна от другой стенок характеризуется наличием внутренней поверхности, и указанные внутренние поверхности ограничивают пространство, причем указанное пространство ограничивает часть или всю внутреннюю полость;
(d) один или несколько нагревательных элементов, предназначенных для нагрева внутренних поверхностей каждой из расположенных на расстоянии одна от другой стенок; и
(e) сопловый аппарат, причем указанный сопловый аппарат характеризуется наличием выхода, через который жидкость поступает во внутреннюю полость, при этом указанный сопловый аппарат выполнен с возможностью выпуска плоского потока жидкости во внутреннюю полость.
2. Реактор по п. 1, отличающийся тем, что внутренние поверхности расположенных на расстоянии одна от другой стенок выполнены параллельными.
3. Реактор по п. 2, отличающийся тем, что параллельные внутренние поверхности расположенных на расстоянии одна от другой стенок характеризуются вертикальной ориентацией.
4. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что сопловый аппарат расположен по центру между внутренними поверхностями двух расположенных на расстоянии одна от другой стенок.
5. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что сопловый аппарат выполнен с возможностью выпуска плоской струи сверху вниз между внутренними поверхностями.
6. Реактор по п. 1, отличающийся тем, что каждая из внутренних поверхностей характеризуется первым положением, смежным со входом, и вторым положением, противоположным первому положению, при этом указанные поверхности расположены ближе друг к другу в первом положении, чем во втором положении.
7. Реактор по п. 1, отличающийся тем, что каждая из внутренних поверхностей характеризуется первым положением, смежным со входом, и вторым положением, противоположным первому положению, при этом указанные поверхности расположены ближе друг к другу во втором положении, чем в первом положении.
8. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что содержит по меньшей мере четыре или более внутренних поверхностей, причем между каждой смежной парой внутренних поверхностей ограничена внутренняя полость, и отдельный сопловый аппарат выполнен с возможностью выпуска плоского потока жидкости в соответствующую одну из внутренних полостей.
9. Реактор по п. 8, отличающийся тем, что каждый сопловый аппарат расположен на входе в одну из внутренних полостей и выполнен с возможностью выпуска плоской струи сверху вниз во внутреннюю полость.
10. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что дополнительно содержит емкость в нижней части реактора для сбора жидкости.
11. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что каждая внутренняя поверхность нагрета до температуры 160-200°F.
12. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что температура внутренней полости либо составляет 48-82°C или 50-72°C, либо ниже температуры пастеризации жидкости.
13. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что давление жидкости изменяется со скоростью от 105 до 1010 Па/сек или 109 Па/сек, или более при перемещении жидкости через сопловый аппарат и во внутреннюю полость.
14. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что жидкость нагрета перед входом в сопловый аппарат.
15. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что каждый сопловый аппарат содержит входное отверстие, плоскую пластину между входным и выходным отверстиями, причем указанная плоская пластина выполнена с возможностью преобразования цилиндрического или конического потока жидкости, поступающего во входное отверстие, в плоский поток жидкости, выходящий из выходного отверстия.
16. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что температура жидкости, поступающей в сопловый аппарат, на 10-20°C меньше наивысшей температуры, до которой нагревается жидкость во внутренней полости.
17. Реактор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что внутренние стенки выполнены плоскими.