Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах - RU2010133877A

Реферат

1. Способ уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты, осуществляемого для получения высокочистых галогенсиланов, который включает следующие стадии: ! a) смешивание подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов с соединениями этих элементов, и ! b) получение высокочистых галогенсиланов путем дистилляционного выделения комплексов. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадию a) смешивания подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов осуществляют в аппарате (2), из которого галогенсиланы и комплексы по меньшей мере частично направляют в дистилляционную колонну (3) для выделения комплексов на стадии b). ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии a) и b) объединяют в непрерывный процесс получения высокочистых галогенсиланов, основанный на превращении металлургического кремния. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и/или алюминия. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и алюминия. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают хлорсиланы. ! 7. Способ по п.6, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают тетрахлорсилан и/или трихлорсилан. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в галогенсиланах технической чистоты определяют содержание примесей, образующих комплексы с трифенилметилхлоридом. ! 9. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что получают высокочистые галогенсиланы с содержанием соответствующего элемента третьей главной группы периодической системы ≤30 м кг/к