Код документа: RU2784517C1
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных пластин.
Известен способ лазерной обработки неметаллических материалов [Патент РФ № 2486628, МПК Н01L 21/42, 27.06.2013], заключающийся в облучении их поверхности лазерными импульсами с плотностью энергии в каждом импульсе, определяемой по формуле
где W – плотность энергии, Дж/см2;
Q – удельная энергия сублимации материала, Дж/см3;
е – основание натурального логарифма;
χ – показатель поглощения материала на длине волны лазерного излучения, см-1;
R – коэффициент отражения материала.
При такой плотности энергии воздействующего лазерного излучения происходит сублимация поглощающего слоя материала толщиной 1/χ, причем энергетические затраты на единицу массы сублимирующего материала будут минимальны. Если при скрайбировании пластин требуется глубина канавки больше, чем 1/χ, то производят воздействие несколькими импульсами. Количество импульсов лазерного излучения определяют как отношение требуемой глубины канавки к толщине сублимирующего слоя материала пластины при воздействии одного импульса
где h – требуемая глубина канавки.
Общее количество воздействующих импульсов лазерного излучения определяют по формуле:
где L – длина канавки при скрайбировании;
d – диаметр лазерного пучка.
Недостатком способа является то, что он не позволяет проводить скрайбирование неметаллических пластин при минимальных энергетческих затратах, когда требуемое количество лазерных импульсов N1 не является целочисленным. Например, пластина из цветного оптического стекла ЖЗС12 имеет показатель поглощения на длине волны 1,06 мкм 10 см-1 [ГОСТ 9411-90 Стекло оптическое цветное. М.: Издательство стандартов. 1992. – 48 с.], а требуется глубина канавки при скрайбировании 0,12 или 0,18 см.
Известен также способ лазерного скрайбирования неметаллических пластин [Патент РФ № 2566138, МПК В23К 26/364, 20.08.2014], включающий воздействие на поверхность пластины двумя лазерными импульсами, при этом плотность энергии в первом импульсе определяют по формуле
плотность энергии во втором импульсе определяют по формуле
а глубина канавки составляет 1,46≤χh≤2.
Недостатком этого способа является существенное увеличение энергетических затрат на скрайбирование неметаллических пластин при возрастании требуемой глубины скрайбирования, когда χh>2.
Известен также способ лазерного скрайбирования неметаллических пластин, включающий воздействие на поверхность пластины двумя лазерными импульсами с плотностью энергии в каждом импульсе, определяемой по формуле
а χh>2.
Патент РФ № 2761834, МПК B23K 26/364, 13.12.2021. Прототип.
Недостатком этого способа является существенное увеличение энергетических затрат на скрайбирование неметаллических пластин при возрастании требуемой глубины скрайбирования, когда χh>2,433.
Техническим результатом изобретения является снижение энергетических затрат при скрайбировании пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Технический результат достигается тем, что в способе скрайбирования неметаллической пластины, включающем воздействие на ее поверхность нескольких лазерных импульсов c плотностью энергии, зависящей от удельной энергии сублимации материала пластины, показателя поглощения материала на длине волны лазерного излучения, коэффициента отражения материала и требуемой глубины канавки, скрайбирование пластины осуществляют тремя лазерными импульсами с плотностью энергии в каждом импульсе, определяемой по формуле
где: W – плотность энергии лазерного излучения, Дж/см2;
Q – удельная энергия сублимации материала пластины, Дж/см3;
е – основание натурального логарифма;
χ – показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, см-1;
h – требуемая глубина канавки при скрайбировании, см;
R – коэффициент отражения материала пластины;
а безразмерный параметр χh>2,433.
Ниже приводится описание способа лазерного скрайбирования неметаллической пластины.
Сущность способа состоит в следующем. Плотность энергии лазерного излучения на поверхности пластины, удельное энерговыделение Е при поглощении лазерного излучения в материале пластины и координата х, отсчитываемая от поверхности пластины вглубь, связаны формулой
Сублимация материала произойдет на глубину х при условии E(x)≥Q. При воздействии одного лазерного импульса требуемая плотность энергии на поверхности пластины, обеспечивающая сублимацию материала на глубину h, рассчитывают по формуле
При воздействии двух лазерных импульсов с плотностью энергии в каждом, определяемой по уравнению (3), суммарная плотность энергии будет составлять
При этом глубина канавки составит h/2 в каждом импульсе и суммарно h.
При воздействии трех лазерных импульсов с плотностью энергии в каждом, определяемой по уравнению (4), суммарная плотность энергии будет составлять
При этом глубина канавки составит h/3 в каждом импульсе и суммарно h.
Определим лучший вариант воздействия с точки зрения минимизации энергетических затрат на скрайбирование. Для этого разделим уравнение (8) на уравнение (7). После простых математических преобразований получим:
Результаты расчетов по уравнению (9) в интервале значений безразмерного параметра
2≤ χh≤4 приведены в таблице.
Таблица
Точное значение параметра χh, при котором необходимо переходить от воздействия двух лазерных импульсов с плотностью энергии в каждом, рассчитанной по уравнению (3), к воздействию трех лазерных импульсов с плотностью энергии в каждом, рассчитанной по уравнению (4), находят из условия
Из уравнения (10) находим
Таким образом, расчеты показывают преимущества предложенного способа скрайбирования неметаллической пластины перед прототипом при значении безразмерного параметра χh>2,433.
Пример реализации способа. Перед началом скрайбирования по известным значениям требуемой глубины канавки и показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения рассчитывают значение безразмерного параметра χh. Если χh>2,433 заданную глубину канавки получают воздействием трех лазерных импульсов с плотностью энергии в каждом импульсе, определяемой по уравнению (4). Затем перемещают пластину на расстояние, равное или меньшее диаметру лазерного пучка, и опять воздействуют тремя лазерными импульсами. Указанное перемещение повторяют необходимое количество раз для получения требуемого контура канавки.
Изобретение относится к способу лазерной обработки неметаллических пластин и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. На поверхность пластины воздействуют последовательными тремя лазерными импульсами. Плотность энергии в каждом из импульсов определяют в зависимости от удельной энергии сублимации материала пластины, показателя поглощения материала на длине волны лазерного излучения, коэффициента отражения и требуемой глубины канавки. При этом безразмерный параметр, равный произведению глубины канавки на показатель поглощения материала на длине волны лазерного излучения, больше 2,433. Технический результат изобретения заключается в снижении энергетических затрат при скрайбировании неметаллических пластин. 1 табл.
Способ лазерного скрайбирования неметаллической пластины
Способ лазерной обработки для разделения или скрайбирования подложки путем формирования клиновидных поврежденных структур
Способ лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки с использованием разделенных лазерных лучей