Способ получения кристалла нитрида iii группы с низкой плотностью дислокаций - RU2013122654A

Реферат

1. Способ получения кристалла нитрида III группы с низкой плотностью дислокаций, включающий следующие стадии:а) осаждение первого слоя нитрида III группы;б) образование ямок в местах пронизывающих дислокаций;в) формирование маскирующего слоя в областях ямок посредством процесса самосовмещения;г) осаждение второго слоя нитрида III группы,где нитрид III группы - это нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия или их сплав любого состава; распространение дислокаций во второй слой нитрида III группы предотвращают указанным выше маскирующим слоем, и области ямок латерально заращивают указанным слоем нитрида III группы с образованием плоской поверхности.2. Способ по п.1, где ямки представляют собой перевернутые пирамиды, образованные при выращивании первого слоя нитрида III группы.3. Способ по п.1, где ямки образуют in situ травлением с использованием водорода, хлористого водорода, хлора или любой их смеси.4. Способ по п.1, где ямки образуют ex situ химическим травлением с использованием кислоты или щелочи.5. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:а) осаждение диэлектрического слоя;б) нанесение слоя смолы на диэлектрическую поверхность центрифугированием;в) травление слоя смолы, оставляя смолу только в ямках;г) избирательное травление диэлектрического слоя, оставляя диэлектрическую маску только в ямах;е) удаление смолы.6. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:а) нанесение слоя стекла (ЦС) центрифугированием на слой нитрида III группы;б) обжиг и отверждение слоя ЦС;в) травление слоя ЦС, оставляя ЦС только в ямках.7. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включа