Способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов без участия стороннего катализатора на подложках кремния - RU2016149166A

1. Новый способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на подложках кремния, отличающийся тем, что синтез ННК происходит без участия катализатора, который неконтролируемо легирует наноструктуры, что достигается с помощью формирования на исходных пластинах кремния КДБ и КЭФ различного уровня проводимости и ориентациями поверхности ингибиторного слоя SiO₂, толщиной 80-120 нм, помещением подложки в среду азот/пары воды при температуре Т = 850-950°С при давлении близком к атмосферному, и изготовлению в этом слое с помощью электронной литографии, электронного резиста и травления литографических окон диаметром 40±2 нм для упорядоченного роста ННК методом молекулярно-пучковой эпитаксии по бескатализному механизму роста.

2. Новый способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на подложках кремния по п. 1, отличающийся тем, что синтез ННК методом молекулярно-пучковой эпитаксии происходит по автокаталитическому механизму, т.е. катализатором является сам материал ННК, для чего перед ростом на изготовленную подложку с окнами в ингибиторном слое напыляется тонкий слой металла, который является составляющей частью ННК.