Способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлий содержащего нитрида - RU2004100115A

Реферат

1. Способ получения кристалла галлийсодержащего нитрида, содержащий стадии

(i) подачи галлийсодержащего исходного материала, содержащего щелочной металл компонента, по меньшей мере, одного зародыша кристаллизации и содержащего азот растворителя, по меньшей мере, в один контейнер;

(ii) приведения содержащего азот растворителя в сверхкритическое состояние;

(iii) по меньшей мере, частичного растворения галлийсодержащего исходного материала при первой температуре и первом давлении; и

(iv) кристаллизации галлийсодержащего нитрида на зародыше кристаллизации при второй температуре и втором давлении, в то время как содержащий азот растворитель находится в сверхкритическом состоянии,

при этом выполняется, по меньшей мере, один из следующих критериев:

(a) вторая температура выше первой температуры, и

(b) второе давление ниже первого давления.

2. Способ по п.1, в котором, по меньшей мере, один контейнер является автоклавом.

3. Способ по п.1, в котором галлийсодержащий исходный материал, по меньшей мере, частично растворяется перед стадией (iv).

4. Способ по п.1, в котором галлийсодержащий исходный материал, по меньшей мере, частично растворяется во время стадии (iv).

5. Способ по п.1, в котором процесс выполняют в контейнере, имеющем зону растворения с первой температурой и зону кристаллизации со второй температурой, и при этом вторая температура выше первой температуры.

6. Способ по п.5, в котором разница температур между зоной растворения и зоной кристаллизации выбирают так, чтобы обеспечить конвективный транспорт в сверхкритическом растворе.

7. Способ по п.6, в котором разница температур между второй температурой и первой температурой составляет, по меньшей мере, 1°С.

8. Способ по п.7, в котором разница температур между второй температурой и первой температурой составляет от около 5 до около 150°С.

9. Способ по п.1, в котором галлийсодержащий нитрид имеет общую формулу Al_xGa_1-x-yIn_yN, где 0≤х<1, 0≤у<1 и 0≤х+у<1.

10. Способ по п.9, в котором галлийсодержащий нитрид имеет общую формулу Al_xGa_1-x-yIn_yN, где 0≤х<0,5 и 0≤у<0,5.

11. Способ по п.9, в котором галлийсодержащий нитрид является нитридом галлия.

12. Способ по п.1, в котором галлийсодержащий нитрид дополнительно содержит, по меньшей мере, одну донорную примесь, по меньшей мере, одну акцепторную примесь, по меньшей мере, одну магнитную примесь или их смеси.

13. Способ по п.1, в котором галлийсодержащий исходный материал содержит, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из группы, состоящей из нитрида галлия, азидов галлия, имиды галлия, амидо-имидов галлия, гидридов галлия, галлийсодержащих сплавов, металлического галлия и их смесей.

14. Способ по п.13, в котором галлийсодержащий исходный материал содержит металлический галлий и нитрид галлия.

15. Способ по п.13, в котором исходный материал дополнительно содержит исходный материал алюминия, исходный материал индия или их смеси, при этом исходные материалы выбраны из группы, состоящей из нитридов, азидов, имидов, амидо-имидов, гидридов, сплавов, металлического алюминия и металлического индия.

16. Способ по п.1, в котором содержащий щелочной металл компонент является, по меньшей мере, одним металлическим щелочным металлом или, по меньшей мере, одной солью щелочного металла.

17. Способ по п.16, в котором щелочной металл в содержащем щелочной металл компоненте является литием, натрием, калием или цезием.

18. Способ по п.17, в котором щелочной металл в содержащем щелочной металл компоненте является натрием или калием.

19. Способ по п.16, в котором соль щелочного металла является амидом, имидом или азидом.

20. Способ по п.1, в котором поверхность, по меньшей мере, одного зародыша кристаллизации является кристаллическим слоем галлийсодержащего нитрида.

21. Способ по п.20, в котором галлийсодержащий нитрид кристаллического слоя имеет общую формулу Al_xGa_1-x-yIn_yN, где 0≤х<1, 0≤у<1 и 0≤х+у<1.

22. Способ по п.20, в котором кристаллический слой имеет плотность дислокаций менее 10⁶/см².

23. Способ по п.1, в котором содержащий азот растворитель является аммиаком, его производным или их смесями.

24. Способ по п.1, в котором первая температура и вторая температура находятся в диапазоне от 100 до 800°С и в котором вторая температура, по меньшей мере, на 1°С выше первой температуры.

25. Способ по п.24, в котором первая температура и вторая температура находятся в диапазоне от 300 до 600°С.

26. Способ по п.25, в котором первая температура и вторая температура находятся в диапазоне от 400 до 550°С.

27. Способ по п.1, в котором первое давление и второе давление находятся в диапазоне от около 1000 бар (10⁵ кПа) до около 10000 бар (10⁶ кПа).

28. Способ по п.27, в котором первое давление и второе давление находятся в диапазоне от около 1000 бар (10⁵ кПа) до около 5500 бар (5, 5×10⁵ кПа).

29. Способ по п.28, в котором первое давление и второе давление находятся в диапазоне от около 1500 бар (1,5×10⁵ кПа) до около 3000 бар (3×10⁵ кПа).

30. Способ по п.1, в котором стадию (iv) выполняют так, что кристаллизация происходит избирательно на зародыше кристаллизации.

31. Способ получения кристалла галлийсодержащего нитрида, содержащий стадии

(i) подачи галлийсодержащего исходного материала, содержащего, по меньшей мере, два разных компонента, содержащего щелочной металл компонента, по меньшей мере, одного зародыша кристаллизации и содержащего азот растворителя в один контейнер, имеющий зону растворения и зону кристаллизации, при этом галлийсодержащий исходный материал подают в зону растворения, и, по меньшей мере, один зародыш кристаллизации подают в зону кристаллизации,

(ii) последующего приведения содержащего азот растворителя в сверхкритическое состояние,

(iii) последующего частичного растворения галлийсодержащего исходного материала при температуре растворения и при давлении растворения в зоне растворения, за счет чего первый компонент галлийсодержащего исходного материала по существу полностью растворяется, а второй компонент галлийсодержащего исходного материала, а также зародыш (зародыши) кристаллизации остаются по существу не растворенными, так что получают ненасыщенный или насыщенный раствор относительно галлийсодержащего нитрида,

(iv) последующего установления условий в зоне кристаллизации со второй температурой и вторым давлением, так что получают перенасыщение относительно галлийсодержащего нитрида, и происходит кристаллизация галлийсодержащего нитрида, по меньшей мере, на одном зародыше кристаллизации, и установления условий в зоне растворения с первой температурой и с первым давлением, так что растворяется второй компонент галлийсодержащего нитрида,

при этом вторая температура выше первой температуры.

32. Способ по п.31, в котором первый компонент галлийсодержащего исходного материала является металлическим галлием, а второй компонент галлийсодержащего исходного материала является нитридом галлия.

33. Способ по п.31, в котором кристаллизацию выполняют так, что она избирательно происходит на зародыше кристаллизации.

34. Способ по п.31, в котором первая температура и первое давление в зоне растворения и вторая температура и второе давление в зоне кристаллизации выбраны так, что концентрация галлия в перенасыщенном растворе остается по существу одинаковой во время кристаллизации.

35. Способ по п.31, в котором контейнер содержит, по меньшей мере, одну перегородку между зоной растворения и зоной кристаллизации.

36. Способ по п.35, в котором, по меньшей мере, одна перегородка имеет центральное отверстие, периферийные отверстия или их комбинацию.

37. Кристалл галлийсодержащего нитрида, получаемый с помощью способа по любому из пп.1-36.

38. Кристалл галлийсодержащего нитрида, имеющий площадь поверхности более 2 см² и плотность дислокации менее 10⁶/см².

39. Кристалл галлийсодержащего нитрида, имеющий полную ширину полувысоты (FWHM) кривой качания рентгеновского луча из плоскости (0002), равную 50 дуговых секунд или менее.

40. Кристалл галлийсодержащего нитрида по п.39, в котором толщина составляет, по меньшей мере, 500 мкм.

41. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида имеет общую формулу Al_xGa_1-x-yIn_yN, где 0≤ х<1, 0≤у<1 и 0≤х+у<1.

42. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида содержит щелочные элементы в количестве более около 0,1 млн^-1.

43. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида имеет содержание галогена около 0,1 млн^-1 или менее.

44. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида имеет объем более 0,05 см³.

45. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, содержащей Ti, Fe, Co, Cr и Ni.

46. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида дополнительно содержит, по меньшей мере, одну донорную примесь и/или, по меньшей мере, одну акцепторную примесь и/или, по меньшей мере, одну магнитную примесь в концентрации от 10¹⁷ до 10²¹/см³.

47. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором слой кристалла галлийсодержащего нитрида дополнительно содержит Al и/или In, и молярное отношение Ga к Al и/или In составляет более 0,5.

48. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида содержит зародыш кристаллизации.

49. Кристалл галлийсодержащего нитрида по любому из пп.37-40, в котором кристалл галлийсодержащего нитрида является монокристаллическим.

50. Устройство для получения кристалла галлийсодержащего нитрида, содержащее автоклав (1), имеющий внутреннее пространство и содержащий, по меньшей мере, одно устройство (4, 5) для нагревания автоклава, по меньшей мере, в двух зонах, имеющих разные температуры, при этом автоклав содержит устройство, которое разделяет внутреннее пространство на зону (13) растворения и зону (14) кристаллизации.

51. Устройство по п.50, в котором предусмотрено, по меньшей мере, одно устройство для нагревания автоклава в двух зонах, имеющих разные температуры, и две зоны совпадают с зоной (13) растворения и зоной (14) кристаллизации.

52. Устройство по п.50, в котором устройство, которое разделяет внутреннее пространство, является, по меньшей мере, одной перегородкой (12), имеющей, по меньшей мере, одно отверстие.

53. Устройство по п.52, в котором, по меньшей мере, одна перегородка (12) имеет центральное отверстие, периферийные отверстия или их комбинацию.

54. Устройство по п.50, в котором зона (14) кристаллизации снабжена нагревательным устройством (5) для нагревания зоны (14) кристаллизации до температуры, превышающей температуру зоны (13) растворения.

55. Устройство по п.50, в котором в зоне (14) кристаллизации предусмотрен держатель (18) зародыша кристаллизации, и в зоне (13) растворения предусмотрен держатель (19) исходного материала.

56. Устройство по п.52, в котором перегородка (перегородки) находится (находятся) в горизонтальном положении, и в котором зона (13) растворения расположена над указанной горизонтальной перегородкой или горизонтальными перегородками (12), в то время как зона (14) кристаллизации расположена под указанной горизонтальной перегородкой или горизонтальными перегородками (12).

57. Способ получения кристалла объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида, при этом его выполняют в автоклаве в среде сверхкритического растворителя, содержащего ионы щелочных металлов, в котором галлийсодержащий исходный материал для изготовления указанного кристалла галлийсодержащего нитрида становится растворимым в указанном сверхкритическом растворителе, и галлийсодержащий нитрид становится кристаллизуемым из сверхкритического раствора на поверхности зародыша кристаллизации при температуре выше температуры растворимости и/или давлении ниже давления растворимости исходного материала в сверхкритическом растворителе.

58. Способ по п.57, в котором указанный способ содержит стадии растворения галлийсодержащего исходного материала и отдельную стадию транспорта сверхкритического раствора к более высокой температуре и/или к более низкому давлению.

59. Способ по п.57, в котором указанный способ содержит стадию одновременного создания, по меньшей мере, двух зон с разными температурами, при этом галлийсодержащий исходный материал помещают в зону растворения с более низкой температурой, в то время как зародыш кристаллизации помещают в зону кристаллизации с более высокой температурой.

60. Способ по п.59, в котором указанной разницей температур между указанной зоной растворения и указанной зоной кристаллизации управляют так, чтобы обеспечить химический транспорт в сверхкритическом растворе.

61. Способ по п.60, в котором указанный химический транспорт в сверхкритическом растворе происходит за счет конвекции в автоклаве.

62. Способ по п.60, в котором указанная разница температур между зоной растворения и зоной кристаллизации больше 1°С.

63. Способ по п.57, в котором указанный кристалл галлийсодержащего нитрида имеет общую формулу Al_xGa_1-x-yIn_yN, где 0≤х<1, 0≤у<1 и 0≤х+у<1.

64. Способ по п.57, в котором указанный кристалл галлийсодержащего нитрида содержит примеси донорного, и/или акцепторного, и/или магнитного типа.

65. Способ по п.57, в котором указанный сверхкритический растворитель содержит NH₃ и/или его производные.

66. Способ по п.57, в котором указанный сверхкритический растворитель содержит ионы натрия и/или калия.

67. Способ по п.57, в котором указанный галлийсодержащий исходный материал состоит по существу из галлийсодержащего нитрида и/или его предшественников.

68. Способ по п.67, в котором указанные предшественники выбраны из группы, состоящей из азидов галлия, имидов галлия, амидо-имидов галлия, амидов галлия, гидридов галлия, галлийсодержащих сплавов и металлического галлия и, не обязательно, соответствующих соединений других элементов группы XIII (в соответствии с IUPAC, 1989).

69. Способ по п.57, в котором указанный зародыш кристаллизации имеет, по меньшей мере, один кристаллический слой галлийсодержащего нитрида.

70. Способ по п.57, в котором указанный зародыш кристаллизации имеет, по меньшей мере, один кристаллический слой галлийсодержащего нитрида с плотностью дислокации ниже 10⁶/см².

71. Способ по п.57, в котором указанная кристаллизация галлийсодержащего нитрида происходит при температуре от 100 до 800°С, предпочтительно от 300 до 600°С, более предпочтительно от 400 до 550°С.

72. Способ по п.57, в котором указанная кристаллизация галлийсодержащего нитрида происходит при давлении от 100 до 10000 бар, предпочтительно от 1000 до 5500 бар, более предпочтительно от 1500 до 3000 бар.

73. Способ по п.57, в котором содержанием ионов щелочного металла в сверхкритическом растворителе управляют так, чтобы обеспечить адекватные уровни растворимости указанного исходного материала, а также указанного галлийсодержащего исходного материала.

74. Способ по п.57, в котором молярным отношением молей указанных ионов щелочного металла к молям сверхкритического растворителя управляют внутри диапазона от 1:200 до 1:2, предпочтительно от 1:100 до 1:5, более предпочтительно от 1:20 до 1:8.

75. Устройство для получения кристалла монокристаллического галлийсодержащего нитрида, содержащего автоклав (1) для создания сверхкритического растворителя, содержащий оборудование (2) для создания конвективного потока, при этом автоклав установлен внутри печи или комплекта печей (4), которые снабжены нагревательными устройствами (5) и/или охлаждающими устройствами (6).

76. Устройство по п.75, в котором печь или комплект печей (4) имеет зону высокой температуры, совпадающую с зоной (14) кристаллизации указанного автоклава (1), снабженную нагревательными устройствами (5), и зону низкой температуры, совпадающей с зоной (13) растворения автоклава (1), снаряженную нагревательными устройствами (5) и/или охлаждающими устройствами (6).

77. Устройство по п.76, в котором печь или комплект печей (4) имеет зону высокой температуры, совпадающую с зоной (14) кристаллизации указанного автоклава (1), снабженную нагревательными устройствами (5) и/или охлаждающими устройствами (6), а также зону низкой температуры, совпадающей с зоной (13) растворения автоклава (1), снаряженную нагревательными устройствами (5) и/или охлаждающими устройствами (6).

78. Устройство по п.76, в котором указанное оборудование (2) выполнено в виде горизонтальной перегородки или горизонтальных перегородок (12), имеющих центральное отверстие и/или периферийные отверстия, отделяющих зону (14) кристаллизации от зоны (13) растворения.

79. Устройство по п.76, в котором исходный материал 16 размещен в автоклаве (1) в зоне (13) растворения, и указанный зародыш (17) кристаллизации размещен в зоне (14) кристаллизации, и указанный конвективный поток между зонами (13 и 14) создается с помощью указанного оборудования (2).

80. Устройство по п.76, в котором указанная зона (13) растворения расположена над указанной перегородкой или горизонтальными перегородками (12), в то время как указанная зона (14) кристаллизации расположена ниже указанной горизонтальной перегородки или горизонтальных перегородок (12).

81. Способ получения кристалла объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве, который содержит стадии (i) создания сверхкритического аммиачного раствора, содержащего ионы щелочного металла и галлий в растворенном виде, посредством введения галлийсодержащего исходного материала в сверхкритический аммиачный раствор, содержащий ионы щелочных металлов, в котором растворимость галлийсодержащего нитрида проявляет отрицательный температурный коэффициент в указанном сверхкритическом аммиачном растворе, и (ii) кристаллизации указанного галлийсодержащего нитрида избирательно на зародыше кристаллизации из указанного сверхкритического аммиачного раствора с помощью отрицательного температурного коэффициента растворимости.

82. Способ получения объемного кристалла монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве, который содержит стадии (i) создания сверхкритического аммиачного раствора, содержащего ионы щелочного металла и галлий в растворенном виде, посредством введения галлийсодержащего исходного материала в сверхкритический аммиачный раствор, содержащий ионы щелочных металлов, в котором растворимость галлийсодержащего нитрида проявляет положительный коэффициент давления в указанном сверхкритическом аммиачном растворе, и (ii) кристаллизации указанного галлийсодержащего нитрида избирательно на зародыше кристаллизации из указанного сверхкритического аммиачного раствора с помощью положительного коэффициента давления растворимости.

83. Способ получения объемного кристалла монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве по п.81 или 82, в котором указанный галлийсодержащий нитрид является GaN.

84. Способ получения кристалла объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве по п.81 или 82, в котором указанный ион щелочного металла выбирают из группы, состоящей из Li⁺, Na⁺ и K⁺.

85. Способ получения кристалла объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве по п.81 или 82, в котором указанные ионы щелочных металлов вводят в виде минерализаторов, выбранных из щелочных металлов и их соединений, таких как азиды, нитриды, амиды, амидо-имиды, имиды и/или гидриды, для образования аммоно-основного сверхкритического аммиачного раствора, который не содержит ионы галогенов.

86. Способ получения кристалла объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве по пп.81 или 82, в котором указанный галлийсодержащий нитрид растворяют в указанном сверхкритическом аммиачном растворителе в виде комплексных соединений галлия, содержащих щелочные металлы и NH₃ и/или их производные.

87. Способ получения кристалла объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве по п.81 или 82, в котором указанное комплексное соединение галлия в указанном сверхкритическом аммиачном растворе создают путем растворения GaN и/или растворения металлического Ga в сверхкритическом аммиачном растворителе.

88. Способ получения сверхкритического аммиачного раствора, содержащего галлийсодержащий нитрид, который содержит стадии (i) создания сверхкритического аммиачного растворителя с помощью регулирования температуры и/или давления в автоклаве, и (ii) растворения предшественника галлийсодержащего нитрида в указанном сверхкритическом аммиачном растворителе для образования растворимых комплексных соединений галлия при температуре ниже температуры, при которой происходит эффективное растворение галлийсодержащего нитрида.

89. Способ получения сверхкритического аммиачного раствора, содержащего галлийсодержащий нитрид, по п.88, в котором указанную стадию растворения указанного предшественника в указанном сверхкритическом аммиачном растворителе выполняют при температуре от 150 до 300°С.

90. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе, который содержит стадии (i) получения в автоклаве сверхкритического аммиачного раствора, содержащего растворимые комплексные соединения галлия, созданные путем растворения исходного материала галлийсодержащего нитрида, и (ii) понижения растворимости указанного галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе посредством повышения температуры выше температуры, при которой происходит растворение исходного материала галлийсодержащего нитрида.

91. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе, который содержит стадии (i) получения в зоне растворения сверхкритического аммиачного раствора, содержащего растворимые комплексные соединения галлия, созданные путем растворения исходного материала галлийсодержащего нитрида, и (ii) управления перенасыщением указанного сверхкритического аммиачного раствора относительно зародыша кристаллизации, при одновременном удерживании температуры в зоне кристаллизации ниже температуры в зоне растворения.

92. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.91, в котором перенасыщение указанного сверхкритического раствора относительно указанного зародыша кристаллизации удерживают ниже уровня, где проявляется феномен произвольного образования зародышей галлийсодержащего нитрида.

93. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.91, в котором перенасыщением указанного сверхкритического раствора относительно указанного зародыша кристаллизации управляют посредством регулирования давления и состава сверхкритического аммиачного раствора.

94. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.91, в котором перенасыщением указанного сверхкритического раствора относительно указанного зародыша кристаллизации управляют посредством регулирования температуры кристаллизации.

95. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.91, в котором перенасыщением указанного сверхкритического раствора относительно указанного зародыша кристаллизации управляют посредством регулирования разницы температур между зоной растворения и зоной кристаллизации.

96. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.91, в котором перенасыщением указанного сверхкритического раствора относительно указанного зародыша кристаллизации управляют посредством регулирования скорости химического транспорта.

97. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.90, в котором управление растворимостью указанного галлийсодержащего нитрида в указанном сверхкритическом аммиачном растворе выполняют посредством регулирования конвективного потока между зоной растворения и зоной кристаллизации.

98. Способ управления рекристаллизацией галлийсодержащего нитрида в сверхкритическом аммиачном растворе по п.90, в котором управление растворимостью указанного галлийсодержащего нитрида в указанном сверхкритическом аммиачном растворе выполняют посредством регулирования степени раскрыва перегородки или перегородок между зоной растворения и зоной кристаллизации.

99. Подложка для эпитаксии, кристаллизованной на поверхности зародыша кристаллизации, в частности, подложка для нитридных полупроводниковых слоев, в которой подложка имеет слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида, имеющего площадь поверхности более 2 см² и плотность дислокации менее 10⁶/см².

100. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида имеет общую формулу Al_xGa_1-x-yIn_yN, где 0≤х<1, 0≤у<1 и 0≤х+у<1.

101. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой подложка содержит щелочные элементы в количестве более около 0,1 млн^-1.

102. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида имеет содержание галогена, которое не превышает около 0,1 млн^-1.

103. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида имеет объем более 0,05 см³.

104. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида имеет полную ширину полувысоты (FWHM) кривой качания рентгеновского луча из плоскости (0002), равную менее 600 дуговых секунд.

105. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида дополнительно содержит, по меньшей мере, одну донорную примесь и/или, по меньшей мере, одну акцепторную примесь в концентрации от 10¹⁷ до 10²¹/см³.

106. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида содержит Al и/или In и молярное отношение Ga к Al и/или In составляет более 0,5.

107. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида кристаллизован на поверхности зародыша кристаллизации галлийсодержащего нитрида, имеющего плотность дислокации менее 10⁶/см².

108. Подложка для эпитаксии по п.99, в которой слой объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида имеет плотность дислокации менее 10⁴/см² и полную ширину полувысоты (FWHM) кривой качания рентгеновского луча из плоскости (0002), равную менее 60 дуговых секунд.