Способ выращивания в вертикальном реакторе многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек - RU2017140566A

Способ выращивания в вертикальном реакторе многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек методом жидкофазной эпитаксии в потоке водорода или форминг газа, включающий нагрев емкостей с различными растворами кристаллизуемых материалов в расплавах легкоплавких металлов до температуры их насыщения и монокристаллической подложки до такой же температуры, последовательное приведение растворов-расплавов в контакт с лицевой поверхностью подложки при многократном переносе теплопоглотителем импульсов «холода» на тыльную поверхность подложки для выращивания эпитаксиальных слоев и массивов квантовых точек, перенос импульса тепла теплонагревателем на тыльную поверхность подложки, величина которого меньше импульса холода, для растворения механически напряженных смачивающих слоев, расположенных между квантовыми точками, удаление остатков растворов-расплавов с эпитаксиального слоя или массива квантовых точек после каждого процесса их выращивания отличающийся тем, что стабилизацию температуры в вертикальном реакторе, где размещены емкости с различными растворами-расплавами и подложка, осуществляют экранами в виде пластин с отверстиями из высокотеплопроводящего материала, подложка вакуумноплотно закреплена тыльной поверхностью к нижнему основанию цилиндра, в котором, в связи с наличием в нем вакуума, стабилизацию температуры осуществляют высокотемпературопроводным материалом, а стабилизацию температуры импульса «холода», который без сопротивления среды многократно переносится теплопоглотителем внутри цилиндра от нагретой «холодной» пластины к тыльной поверхности подложки и наоборот, осуществляют «холодной» пластиной, имеющей стабильную температуру за счет сопряженных с ней каскада «холодных» пластин, при этом осуществляется выращивание эпитаксиальных слоев или массивов идеальных квантовых точек из объема раствора-расплава, ограниченного внутренними стенками нижнего основания цилиндра, лицевой поверхностью подложки и плавающей пластиной с отверстиями, через которые производят как заполнение, так и удаление остатков раствора-расплава в те же емкости, при вращении цилиндра с подложкой вокруг его вертикальной оси, причем механически напряженные смачивающие слои между квантовыми точками эффективнее удаляются из массивов металлических квантовых точек, последующее наращивание омических контактов осуществляют через отверстия в плавающей пластине, находящейся в контакте с поверхностью многослойной структуры при многократном импульсном охлаждении теплопоглотителем тыльной поверхности подложки.