Способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости - RU2009114547A

Реферат

1. Способ формирования материала монокристалла сапфира с ориентацией в С-плоскости, включающий: ! затравливание установки с расплавом затравкой, имеющей ориентацию оси С главным образом перпендикулярно продольной оси отверстия формообразователя; ! кристаллизацию монокристалла сапфира над формообразователем, при этом монокристалл сапфира имеет ориентацию оси С главным образом перпендикулярно основной поверхности сапфира; ! прохождение сапфира через первую область, имеющую первый градиент температур, при этом сапфир находится при температуре больше чем 1850°C; и ! последовательное прохождение сапфира через вторую область, имеющую второй градиент температур, который меньше, чем первый градиент температур, при этом сапфир находится при температуре больше чем 1850°C. ! охлаждение сапфира с ориентацией в С-плоскости для получения материала, имеющего менее чем 10,000 нарушений правильности кристаллической структуры на см2. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый градиент температур в два раза больше второго градиента температур. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый градиент температур, по меньшей мере, на 10°C/см больше, чем второй градиент температур. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что время выдержки определенной точки на сапфире в первой области составляет, по меньшей мере, 10 мин. ! 5. Способ по п.1, включающий вытягивание монокристалла сапфира со скоростью больше чем 2,5 см/ч. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что получают слиток сапфира, имеющий длину больше или равную 30 см. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что первая область включает часть сапфира, имеющую длину больше или равную 1 см. ! 8. Способ по п