Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки - SU550958A3

Чертежи

Описание

/о - радиус затравочного кристалла, R - радиус выращиваемого кристалла, / - путь, пройденный фронтом кристаллизации при соответствующем значении d, К - длина конусообразного перехода.

Формула изобретения

1. Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки путем определения значения диаметра зоны плавления на фронте кристаллизации с помощью телевизионной камеры и воздействия сигнала диаметра зоны плавления на механизм «растяжения-сжатия зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения качества выращиваемых кристаллов, по совокупности сигналов телевизионной камеры и значению диаметра зоны плавления онределяют угол раскрытия зоны плавления, по величине которого регулируют энергию, подводимую к зоне плавления .

2. Способ по п. 1, отличающийся ТеМ, что при выполнении конусообразного neijexoда между затравочным и вырапишаемым кр)1сталлами диаметр зоны плавления на фронте кристаллизации изменяют согласно следующей функции

+ ()с08.

где d - диаметр зоны плавления.

Го - радиус затравочного кристалла, R - радиус выращиваемого кристалла, / - путь, пройденный фронтом кристаллизации при соответствующем значени) d, К- длина конусообразного перехода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Авт. св. № 210844, М. Кл. В 01J 17/10, 1967.

2.Авт. св. № 347073, М. Кл. В 01J 17/10, 1968.

Реферат

Формула