Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния, включающий подготовку монокристаллической кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных частиц металла-катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кремния из газовой фазы, содержащей SiCl
4, Н
2 и О
2, по схеме пар→жидкая капля→кристалл с последующим его окислением, отличающийся тем, что для реакции образования оксида
, Me - металл, О - кислород, n и m - индексы, катализатор выбирают из ряда металлов, имеющих количественные значения логарифма упругости диссоциации
при температуре 1000 K более -36,1, причем частицы металла-катализатора выбирают с диаметрами менее 100 нм, а температуру процесса выращивания устанавливают в интервале 1000-1300 K.