Способ изготовления кристалла нитрида iii группы - RU2009105134A

Реферат

1. Способ изготовления кристалла нитрида III группы, включающий в себя: ! стадию выращивания на одной из главных поверхностей подложки из нитрида III кристалла нитрида III, у которого, по меньшей мере, либо тип составляющих атомов и их соотношения, либо тип и концентрация легирующей примеси отличаются от подложки из нитрида III; и ! стадию удаления подложки из нитрида III парофазным травлением. ! 2. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором парофазное травление осуществляют распылением травящего газа на другую из главных поверхностей подложки из нитрида III. ! 3. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором при парофазном травлении в качестве травящего газа используют по меньшей мере один газ, выбранный из группы, состоящей из газообразного HCl, газообразного Cl2 и газообразного H2. ! 4. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором разность температуры при выращивании кристалла нитрида III и температуры травления при парофазном травлении составляет 200°C или менее. ! 5. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором температура травления при парофазном травлении составляет 700°C или более.