Составы для обесточенного осаждения тройных материалов для промышленности и полупроводников - RU2005138133A

Реферат

1. Способ получения электрически проводящей структуры в качестве барьерного слоя, отличающийся тем, что обесточенным осаждением на каталитически активированные изоляционные слои наносят комбинированный диффузионный барьер и зародышеобразующий слой под медными токопроводками, а также капсулирующие барьеры на поверхности медных токопроводок.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сплавы NiRe-P, NiMo-P, NiW-P, NiRe-B, NiMo-B, NiW-B, NiRe-P/B, NiMo-P/B или NiW-P/B применяют в качестве барьерного слоя.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве барьерных слоев получают сплавы, где в качестве усиливающих термическую стабильность барьера тугоплавких металлов содержатся Мо, Re, или W в количестве от 2 до 25 ат.%.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве тугоплавкого металла в барьерном слое содержится молибден в количестве от 5 до 24 ат.% или Re в количестве от 5 до 23 ат.% или вольфрам в количестве от 5 до 15 ат.%.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверхность медной электропроводки активируется обработкой раствором, свободным от аммиака и фтористоводородной кислоты.

6. Способ по п.5, отличающийся тем, что перед активированием осуществляют очистку раствором, свободным от аммиака и фтористо-водородной кислоты.

7. Способ по п.1, отличающийся тем, что для обесточенного осаждения тонкого слоя металлического сплава на поверхность металлического субстрата для полупроводникового конструктивного элемента металлический субстрат опрыскивают автокаталитическим гальванизирующим раствором или погружают в этот раствор, вследствие чего без использования тока осаждается тонкий слой металлического сплава, который содержит, по меньшей мере, один металл из группы, включающей Ni, Co, Pd, Ag, Rh, Ru, Re, Pt, Sn, Pb, Mo, W и Cr.

8. Способ по п.7, отличающийся тем, что металлический субстрат состоит из металла, выбранного из группы, включающей Cu, Ag, Со, Ni, Pd и Pt.

9. Способ по п.7, отличающийся тем, что в качестве автокаталитического гальванизирующего раствора применяют раствор, который в основном свободен от поверхностно-активных веществ.

10. Способ по п.7, отличающийся тем, что в качестве автокаталитического гальванизирующего слоя применяют раствор, который содержит, по меньшей мере, одно поверхностно-активное вещество и в случае необходимости, по меньшей мере, одну добавку для улучшения свойств и структуры слоев диффузионных барьеров.

11. Способ по п.7, отличающийся тем, что в качестве автокаталитического гальванизирующего раствора применяют раствор, который содержит стабилизаторы для продления срока службы гальванических растворов для осаждения.

12. Способ по п.7, отличающийся тем, что металлический субстрат активируется обработкой раствором, свободным от аммиака и фтористо-водородной кислоты.

13. Способ по п.7, отличающийся тем, что перед активированием осуществляют очистку раствором, свободным от аммиака и фтористоводородной кислоты.

14. Осажденные без тока, тройные, содержащие никель, металлические сплавы типа NiM-R (где М означает Мо, W, Re, Cr и R означает В, Р) в качестве барьерного слоя, соответственно, селективного капсулирующего материала для предотвращения диффузии и электромиграции меди на полупроводниковых элементах, полученные способом по пп.1-13.

15. Состав для обесточенного осаждения тройных содержащих никель металлических сплавов типа NiM-R (где М означает Мо, W, Re, Cr и R означает В, Р), содержащий NiSO₄×6H₂O, Na₂WO₄, Na₂MoO₄, KReO₄, NaH₂PO₂, CoSO₄ ×7H₂O, в водном растворе в пригодной концентрации, а также в случае необходимости другие добавки.

16. Состав по п.15 со значением рН в диапазоне 4,5-9,0.

17. Состав по одному из п.15 или 16, содержащий аддитивы, выбранные из группы, включающей Na₃C₆H₅O₇×2H₂O, С₄Н₆O₄, Na₂C₄H₄O₄×6Н₂O, 2,2-бипиридины, тиодиуксусную кислоту, тритон Х-114, DMAB, Na₂С₂Н₃ O₂, С₃Н₆О₃(90%), NH₄SO₄, и RE610.