Сверхпрочные монокристаллы cvc-алмаза и их трехмерный рост - RU2007113175A

Реферат

1. Монокристалл алмаза, выращенный с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы, который имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м.2. Монокристалл алмаза по п.1, прочность которого равна, по меньшей мере, примерно 35 МПа м.3. Монокристалл алмаза по п.2, прочность которого равна, по меньшей мере, примерно 40 МПа м.4. Монокристалл алмаза по п.1, твердость которого изменяется от примерно 100 до примерно 160 ГПа.5. Способ выращивания сверхпрочного монокристалла алмаза включающий в себяi) размещение кристаллического зародыша алмаза в теплопоглощающем держателе, сделанном из вещества, обладающего высокой точкой плавления и высокой теплопроводностью, чтобы минимизировать температурные градиенты в направлении от края до края поверхности роста алмаза;ii) управление температурой поверхности роста алмаза так, чтобы температура растущих кристаллов алмаза находилась в диапазоне примерно 1050-1200°C; иiii) выращивание монокристалла алмаза с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы на поверхности роста алмаза в камере осаждения, в которой атмосфера характеризуется соотношением азота к метану примерно 4% N/CH,iv) проведение отжига монокристалла алмаза таким образом, что отожженный монокристалл алмаза имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м.6. Способ по п.5, в котором стадия iv) включает отжиг монокристалла алмаза при давлениях свыше от примерно 5 до примерно 7 ГПа и температурах от примерно 2000°C до примерно 2700°C так, что твердость составляет от примерно 100 до примерно 160 ГПа.7. Способ по п.5, в котором монокристалл алмаза до отжига по существу