Синтетический cvd алмаз - RU2012131169A

Реферат

1. Способ химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) для синтезирования алмазного материала на подложке в среде синтеза, содержащий:обеспечение подложки;обеспечение газа-источника;диссоциацию газа-источника; ипредоставление возможности гомоэпитаксиального синтеза алмаза на подложке;при этом среда синтеза содержит азот в атомной концентрации от примерно 0,4 ч/млн до примерно 50 ч/млн; ипри этом газ-источник содержит:а) атомную долю водорода, H, от примерно 0,40 до примерно 0,75;b) атомную долю углерода, C, от примерно 0,15 до примерно 0,30;с) атомную долю кислорода, O, от примерно 0,13 до примерно 0,40;при этом H+C+O=1;при этом отношение атомной доли углерода к атомной доле кислорода, C:O, удовлетворяет соотношению примерно 0,45:1