Способ обработки и способ изготовления полупроводникового прибора - RU2010129827A

Реферат

1. Способ обработки, содержащий этапы: ! приема (S21) обрабатываемого объекта (13) в загрузочной шлюзовой камере (3) для загрузки упомянутого обрабатываемого объекта (13) в камеру (2) обработки, где должна осуществляться обработка на упомянутом обрабатываемом объекте (13), и ! снижения (S23) внутреннего давления в упомянутой загрузочной шлюзовой камере (3), ! причем упомянутый этап снижения внутреннего давления включает в себя этап сбрасывания давления при относительно низкой скорости декомпрессии, а затем сбрасывания давления при относительно высокой скорости декомпрессии. ! 2. Способ обработки по п.1, дополнительно содержащий этап (S22) подачи продувочного газа в упомянутую загрузочную шлюзовую камеру (3) перед упомянутым этапом (S23) снижения внутреннего давления. ! 3. Способ обработки по п.1, при этом упомянутая относительно низкая скорость декомпрессии больше или равна 200 Па/с и меньше или равна 700 Па/с, а упомянутая относительно высокая скорость декомпрессии больше или равна 2000 Па/с и меньше или равна 3200 Па/с. ! 4. Способ изготовления полупроводникового прибора с использованием способа обработки, охарактеризованного в п.1, ! причем упомянутый обрабатываемый объект включает в себя полупроводниковую подложку, а ! упомянутый способ изготовления содержит этапы: ! выполнения (S20) способа обработки, охарактеризованного в п.1, ! загрузки (S30) упомянутого обрабатываемого объекта в упомянутую камеру обработки из упомянутой загрузочной шлюзовой камеры и ! применения (S40) обработки к упомянутому обрабатываемому объекту в упомянутой камере обработки.