Покрывная система, деталь с покрытием и способ ее получения - RU2011104495A

Реферат

1. Покрывная система, содержащая ! - по меньшей мере один слой типа А, причем слой типа А, по существу, состоит из (AlyCr1-y)X, где Х означает один элемент группы, состоящей из N, CN, BN, NO, CNO, CBN, BNO и CNBO, y описывает стехиометрический состав фракции металлической фазы; ! - по меньшей мере один слой типа В, причем слой типа В, по существу, состоит из (AluCr1-u-v-wSivMew)X, где Х означает один элемент группы, состоящей из N, CN, BN, NO, CNO, CBN, BNO или CNBO, причем Me обозначает один элемент группы, состоящей из W, Nb, Mo и Та, или смесь двух или более составляющих этой группы, u, v и w описывают стехиометрический состав фракции металлической фазы; ! причем отношение толщины указанного слоя типа А к толщине указанного слоя типа В больше 1. ! 2. Покрывная система по п.1, в которой указанное отношение толщин выше, чем примерно 1,5. ! 3. Покрывная система по п.1, в которой указанный, по меньшей мере, один слой типа В содержит по меньшей мере две кристаллические фазы. ! 4. Покрывная система по п.1, в которой указанный, по меньшей мере, один слой типа В содержит кубическую фазу и гексагональную фазу. ! 5. Покрывная система по п.4, в которой содержание в указанном, по меньшей мере одном слое типа В указанной гексагональной фазы составляет <50 об.% от указанного, по меньшей мере, одного слоя типа В. ! 6. Покрывная система по п.4, в которой содержание в указанном, по меньшей мере, одном слое типа В указанной гексагональной фазы составляет >5 об.% от указанного, по меньшей мере одного слоя типа В и <40 об.% от указанного, по меньшей мере, одного слоя типа В. ! 7. Покрывная система по п.1, в которой указанный, по меньшей мере, один слой типа А образован, по существу, из кубической структуры. ! 8. Покрывная система