Осаждение тонкой пленки cu(in,ga)хкатодным распылением - RU2012127370A

Реферат

1. Устройство для осаждения пленки Cu(In,Ga)X, где Х - Se или S, или их смесь, на по меньшей мере одну поверхность подложки, содержащее камеру (1) катодного распыления, содержащую:- подложкодержатель (6),- средство нагревания подложкодержателя,- по меньшей мере один держатель (7) распыляемой мишени,причем подложкодержатель (6) расположен напротив по меньшей мере одного держателя (7) распыляемой мишени и отделенным от него,- первую инжекционную трубку (3) для введения первого ламинарного потока инертного газа, содержащего Х или предшественник Х в парообразном виде,отличающееся тем, что оно дополнительно содержит вторую инжекционную трубку (4) для введения второго ламинарного потока инертного газа, у которой впускное отверстие в камеру (1) расположено между впускным отверстием в камеру (1) первой инжекционной трубки (3) и упомянутым по меньшей мере одним держателем (7) мишени,так, что второй ламинарный поток инертного газа, входящий через впускное отверстие второй инжекционной трубки (4), является параллельным первому ламинарному потоку инертного газа, содержащему Х или его предшественник в парообразном виде, и ограничивает первый ламинарный поток инертного газа, содержащий Х или предшественник Х в парообразном виде, окрестностью подложкодержателя (6).2. Устройство по пункту 1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит оболочку (2), содержащую средства испарения X, причем оболочка (2) находится в проточной связи с первой инжекционной трубкой (3) и камерой (1).3. Устройство по пункту 1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит оболочку (2), содержащую средства для создания плазмы для разложения и испарения предшественника X, пр