Ticn с сокращенными дефектами роста с помощью hipims - RU2018140962A
Код документа: RU2018140962A
Формула
1. Способ нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS, причем для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которая распыляется в реакционной атмосфере HiPIMS-способом в камере для нанесения покрытий, причем реакционная атмосфера включает по меньшей мере один инертный газ, предпочтительно аргон, и по меньшей мере газообразный азот в качестве реакционного газа, отличающийся тем, что для сокращения дефектов роста во время осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя:
- реакционная атмосфера дополнительно включает в качестве второго реакционного газа углеродсодержащий газ, который используется в качестве источника углерода для создания TiCN-слоя, причем во время осаждения TiCN-слоя к покрываемой подложке подводят напряжение смещения в биполярном режиме,
или
- в качестве источника углерода для создания TiCN-слоя используют по меньшей мере одну углеродсодержащую мишень, которую распыляют в камере для нанесения покрытий с реакционной атмосферой только с газообразным азотом в качестве реакционного газа способом HiPIMS.
2. Способ по п.1, в котором в качестве источника углерода используют углеродсодержащий газ, причем углеродсодержащий газ включает СН4, или состоит из СН4.
3. Способ по п.1, в котором в качестве источника углерода используют углеродсодержащий газ, причем углеродсодержащий газ включает С2Н4, или состоит из С2Н4.
4. Способ по п.1, в котором в качестве источника углерода используют по меньшей мере одну углеродсодержащую мишень, причем на одну или многие Ti-содержащие мишени с помощью первого подводящего энергию устройства или первого блока питания, и на одну или многие содержащие углерод мишени с помощью второго подводящего энергию устройства или второго блока питания, подаются импульсы мощности.
5. Способ по п.4, в котором по меньшей мере одна Ti-содержащая мишень представляет собой металлическую мишень, которая состоит из Ti.
6. Способ по п.4, в котором по меньшей мере одна Ti-содержащая мишень представляет собой керамическую мишень, которая состоит из TiС.
7. Способ по одному из предшествующих п.п. 4-6, в котором по меньшей мере одна углеродсодержащая мишень состоит из графита.
8. Способ по одному из предшествующих п.п. 4-6, в котором по меньшей мере одна углеродсодержащая мишень состоит из композитного материала.
9. Способ по п.8, в котором мишень из композитного материала включает по меньшей мере один металл и один карбид.
