Подложка для химического осаждения из паровой фазы (cvd) алмаза и способ его получения - RU2013126532A

Реферат

1. Подложка для нанесения алмаза способом ХОПФ (CVD), содержащая основное тело из твердого материала и слой покрытия, который содержит алмазные частицы в качестве кристалла-затравки в матрице, которые осаждаются соединенные на поверхности указанного основного тела, в которой:(1) указанные затравочные алмазные частицы имеют средний размер частиц 1 мкм или мельче;(2) указанная матрица содержит первый металл, выбранный из первой группы Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Та, Cr, Mo и W, и/или первое соединение между указанным первым металлом и неметаллическим веществом, выбранным из бора, углерода и азота, причем указанная матрица удерживает алмазные частицы, распределенные в ней; и(3) соединительная зона, созданная как результат диффузии и распространяющаяся через указанное основное тело и слой покрытия, содержит один или оба атома указанного первого металла и компонентного металла твердого материала.2. Подложка по п.1, в которой указанная матрица в основном содержит главную часть указанного первого соединения и незначительную часть интерметаллического соединения между указанным первым металлом и вторым металлом, выбранным из второй группы металлов, состоящей из Al, Si и Ni.3. Подложка по п.1 или 2, в которой указанная матрица дополнительно содержит предварительно образованный карбид, нитрид или борид переходного металла.4. Подложка по п.1, в которой указанные алмазные частицы имеют средний размер частиц 0,1 мкм или мельче.5. Подложка по п.1, в которой указанная матрица содержит алмазные частицы при концентрации 1-40% мас. относительно общей массы матрицы.6. Подложка по п.1, в которой указанное основное тело в основном содержит главную часть из WC и Со.7. По�