Жидкая композиция, способ получения кремниевой подложки и способ получения подложки для головки для выброса жидкости - RU2011103060A

Реферат

1. Жидкая композиция, используемая для проведения анизотропного травления кристалла кремниевой подложки, снабженной маской для травления, сформированной из пленки оксида кремния, с пленкой оксида кремния, используемой в качестве маски, причем жидкая композиция содержит: ! гидроксид цезия; ! щелочное органическое соединение; и ! воду. ! 2. Жидкая композиция по п.1, в которой щелочное органическое соединение включает гидроксид тетраметиламмония. ! 3. Жидкая композиция по п.1, в которой отношение по массе гидроксида цезия к массе жидкой композиции составляет от 1 мас.% до 40 мас.% включительно. ! 4. Жидкая композиция по п.2, в которой отношение по массе гидроксида тетраметиламмония к массе жидкой композиции составляет от 5 мас.% до 25 мас.% включительно. ! 5. Способ получения кремниевой подложки, причем способ включает: ! получение кремниевой подложки, на которой пленку оксида кремния, формируемую с отверстием, формируют, по меньшей мере, на одной поверхности подложки; и ! травление подложки, начиная от отверстия, посредством использования жидкой композиции, содержащей гидроксид цезия, щелочное органическое соединение и воду, в качестве раствора для травления, и используя оксидную пленку в качестве маски для формирования сквозного канала, проникающего сквозь подложку. ! 6. Способ по п.5, в котором щелочное органическое соединение включает гидроксид тетраметиламмония. ! 7. Способ получения подложки для головки для выброса жидкости, включающей кремниевую подложку, снабженную генерирующим энергию элементом, причем элемент генерирует энергию, используемую для выброса чернил, поверх первой поверхности кремниевой подложки, под�