Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала sigeв присутствии xmп (химико-механической полировальной) композиции, включающей специальное органическое соединение - RU2014107763A

Реферат

1. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала SiGe, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП) содержащий:(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,(B) по меньшей мере один тип окислительного реагента,(C) по меньшей мере один тип органического соединения, которое включаетпо меньшей мере {к} фрагментов (Z), но исключены соли, анионы которыхявляются неорганическими, и единственным органическим катионом которыхявляется [NRRRR], где {к} равно 1, 2 или 3,(Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (-OR), гетероциклическую алкоксигруппу (-ORв качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), карбоксилатную группу (-COOR), аминогруппу (-NRR), гетероциклическую аминогруппу (-NRW в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-Rили -N=R), гетероциклическую иминогруппу (=N-Rили -N=Rв качестве части гетероциклической структуры), фосфонатную группу (-P(=O)(OROR)), фосфатную группу (-O-P(=O)(OR)(OR)), остаток фосфоновой кислоты (-Р(=O)(ОН)), остаток фосфорной кислоты (-O-Р(=O)(ОН)) или их протонированные или депротонированные формы,R, R, R, Rнезависимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,R, R, R, R, Rнезависимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,Rозначает алкилен или арилалкилен,R, R, Rнезависимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и R, R, Rне содержат какой-либо фрагмент (Z),Rозначает алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и Rне содержат какой-либо фрагмент (Z),и(D) водную среду, в котором значение рН ХМП композиции находит