Теплопроводная кремнийорганическая композиция и ее отвержденный продукт - RU2015152054A
Код документа: RU2015152054A
Формула
1. Кремнийорганическая композиция, обладающая вязкостью от 10 до 1000 Па・с при 25°C и содержащая
(A) 100 частей по массе органополисилоксана с по меньшей мере двумя алкенильными группами на молекулу и динамической вязкостью от 10 до 100000 мм2/с при 25°C,
(B) органогидридполисилоксан, представленный следующей формулой (1):
где n и m являются положительными целыми числами, удовлетворяющими уравнениям:
10≤n+m≤100 и 0,01≤n/(m+n)≤0,3, и
R1 является независимо друг от друга алкильной группой с 1-6 атомами углерода,
(C) органогидридполисилоксан, представленный следующей формулой (2):
где p является положительным целым числом от 5 до 1000, и R2 является независимо друг от друга алкильной группой с 1-6 атомами углерода,
(D) органогидридполисилоксан, представленный следующей формулой (3):
где k является положительным целым числом от 2 до 10; R является независимо друг от друга атомом водорода или R4, при условии, что два из R являются атомом водорода, где R4 является группой, связанной с атомом кремния посредством атома углерода или посредством атома углерода и атома кислорода и имеет группу, выбранную из эпоксидной группы, акрилоиловой группы, метакрилоиловой группы, простой эфирной группы и триалкоксисилильной группы, R3 является независимо друг от друга алкильной группой с 1-6 атомами углерода,
(E) от 400 до 3000 частей по массе теплопроводного наполнителя,
(F) каталитическое количество катализатора металлов платиновой группы, и
(G) от 0,01 до 1 части по массе замедлителя реакции,
где количество компонентов (B), (C) и (D) удовлетворяет следующим условиям:
соотношение [общее количество групп Si-H в компонентах (B), (C) и (D)]/[количество алкенильных группы в компоненте (A)], находится в диапазоне от 0,6 до 1,5;
соотношение [общее количество групп Si-H в компонентах (C) и (D)]/[количество групп Si-H в компоненте (B)], находится в диапазоне от 1 до 10; и
соотношение [количество групп Si-H в компоненте (C)]/[количество групп Si-H в компоненте(D)], находится в диапазоне от 1 до 10,
настоящее изобретение также относится к полупроводниковому устройству, представленному с использованием отвержденного материала, полученного посредством отверждения вышеуказанной композиции.
2. Кремнийорганическая композиция по п. 1, где компонентом (D) является органогидридполисилоксан, представленный следующей формулой (4):
где R3 и R4 являются, как определено выше.
3. Кремнийорганическая композиция по п. 1 или 2, где замедлитель реакции выбран из ацетиленовых соединений, азотных соединений, фосфорорганических соединений, оксимных соединений и хлорорганических соединений.
4. Кремнийорганическая композиция по любому из пп. 1-3, где композиция дополнительно содержит (H) органосилан, представленный следующей формулой (5), в количестве от 0,01 до 30 частей по массе на 100 частей по массе компонента (A),
R5aR6bSi(OR7)4-a-b (5)
где R5 является независимо друг от друга моновалентной углеводородной группой с 6-15 атомами углерода; R6 является независимо друг от друга насыщенной или ненасыщенной моновалентной углеводородной группой с 1-8 атомами углерода; R7 является независимо друг от друга моновалентной углеводородной группой с 1-6 атомами углерода; и a является целым числом от 1 до 3, и b является целым числом от 0 до 2, при этом сумма чисел a и b является целым числом от 1 до 3.
5. Кремнийорганическая композиция по любому из пп. 1-4, где композиция дополнительно содержит органополисилоксан, представленный следующей формулой (6), в количестве от 0,01 до 200 частей по массе на 100 частей по массе компонента (A)
где R8 является независимо друг от друга незамещенной или замещенной моновалентной углеводородной группой с 1-18 атомами углерода; R9 независимо друг от друга выбран из алкильных, алкоксиалкильных, алкенильных и ацильных групп с 1-5 атомами углерода; и q является целым числом от 5 до 100, и c является целым числом от 1 до 3.
6. Кремнийорганическая композиция по любому из пп.1-5, где композиция дополнительно содержит (J) мелкодисперсный порошок диоксида кремния в количестве от 0,1 до 200 частей по массе на 100 частей по массе компонента (A).
7. Полупроводниковое устройство, полученное с использованием отвержденного материала, полученного посредством отверждения кремнийорганической композиции по любому из пп. 1-6.
