Диэлектрический слой затвора для электронных устройств - RU2013114414A

Реферат

1. Диэлектрический слой затвора, находящийся в контакте с полупроводниковым слоем в электронном устройстве, где указанный диэлектрический слой затвора включает полициклоолефиновый полимер или полимерную композицию, содержащую полициклоолефиновый полимер.2. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер является полимером норборненового типа.3. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит первый тип повторяющейся единицы, имеющей боковую, способную к сшиванию группу.4. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором боковая, способная к сшиванию группа является латентной, способной к сшиванию группой.5. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором боковая, способная к сшиванию группа является малеимидной, 3-моноалкилмалеимидной, 3,4-диалкилмалеимидной, эпоксидной, винильной, ацетильной, инденильной, циннаматной или кумариновой группой, или боковая способная к сшиванию группа содержит замещенный или незамещенный малеимидный фрагмент, эпоксидный фрагмент, винильный фрагмент, циннаматный фрагмент или кумариновый фрагмент.6. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором первый тип повторяющейся единицы, имеющей боковую, способную к сшиванию группу, является производным какого-либо одного из следующих мономеров:где n является целым числом от 1 до 8, Qи Qкаждый независимо друг от друга является -H или -CH, и R′ является -H или -OCH.7. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит второй тип повторяющейся единицы, которая является отличной от повторяющейся единицы первого типа.8. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в