Способы и системы микрообработки - RU2005112562A

Реферат

1. Способ формирования щелей для протекания текучей среды в полупроводниковой подложке, имеющей первую сторону и вторую сторону, заключающийся в том, что многократно прикладывают разряд электрической энергии к первой стороне полупроводниковой подложки для формирования первого конструктивного элемента, удаляют материал полупроводниковой подложки с обратной стороны для формирования второго конструктивного элемента, причем, по меньшей мере, часть первого и второго конструктивных элементов пересекается для формирования сквозного конструктивного элемента через полупроводниковую подложку.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сквозной конструктивный элемент является прорезью.

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что первый конструктивный элемент имеет первую глубину от первой стороны, равную, по меньшей мере, половине толщины между первой стороной и второй стороной.

4. Способ по п.2, отличающийся тем, что второй конструктивный элемент имеет глубину около 100 мкм, а толщина подложки составляет около 675 мкм.

5. Способ по п.2, отличающийся тем, что второй конструктивный элемент имеет глубину, по меньшей мере, 50 мкм, а толщина подложки составляет около 675 мкм.

6. Способ по п.2, отличающийся тем, что удаление материала полупроводниковой подложки осуществляют до многократного приложения разряда энергии.

7. Способ по п.2, отличающийся тем, что многократное приложение разряда энергии осуществляют путем приложения электрической искры для формирования первого конструктивного элемента.

8. Способ формирования конструктивного элемента для протекания текучей среды в полупроводниковой подложке, заключающийся в том, что наносят абразивный материал на первую поверхность подложки, сообщают вибрацию множеству инструментов, каждый из которых находится в отличном от других положении вдоль первой поверхности, причем каждый из множества инструментов вибрирует с некоторой частотой и на некотором расстоянии от первой поверхности для формирования множества конструктивных элементов на первой поверхности.

9. Способ по п.8, отличающийся тем, что частота вибрации находится в диапазоне от 19 до 25 КГц.

10. Способ по п.8, отличающийся тем, что расстояние находится в диапазоне от 30 до 100 мкм.

11. Способ по п.8, отличающийся тем, что каждый инструмент имеет профиль, взаимообратный по отношению к профилю соответствующего конструктивного элемента.

12. Способ по п.11, отличающийся тем, что профиль одного инструмента из множества инструментов отличается от профиля другого инструмента из множества инструментов.

13. Способ по п.8, отличающийся тем, что конструктивный элемент, сформированный одним из множества инструментов, отличается от конструктивного элемента, сформированного другим инструментом из множества инструментов.

14. Способ формирования множества конструктивных элементов в полупроводниковой подложке, заключающийся в том, что наносят материал абразивной суспензии на первую поверхность подложки, сообщают вибрацию множеству инструментов, каждый из которых погружен в суспензию и находится в разных положениях, по существу, напротив первой поверхности, причем каждый из множества инструментов вибрирует с некоторой частотой и на некотором расстоянии от первой поверхности для формирования конструктивного элемента на первой поверхности.

15. Способ по п.14, отличающийся тем, что частота одного инструмента из множества инструментов отличается от частоты другого инструмента из множества инструментов.

16. Способ по п.14, отличающийся тем, что частота одного инструмента из множества инструментов находится в диапазоне от около 19 до 25 КГц.

17. Способ по п.14, отличающийся тем, что расстояние от одного инструмента из множества инструментов до первой поверхности отличается от расстояния от первой поверхности до другого инструмента из множества инструментов.

18. Способ по п.14, отличающийся тем, что расстояние от одного инструмента из множества инструментов до первой поверхности находится в диапазоне от около 30 до около 100 мкм.

19. Способ по п.14, отличающийся тем, что дополнительно формируют восковую опору на второй поверхности подложки, причем вторая поверхность находится, по существу, напротив первой поверхности.

20. Способ по п.14, отличающийся тем, что один инструмент из множества инструментов имеет профиль, который отличается от профиля другого инструмента из множества инструментов.

21. Способ по п.14, отличающийся тем, что конструктивный элемент, сформированный одним из множества инструментов, отличается от конструктивного элемента, сформированного другим из множества инструментов.

22. Способ по п.21, отличающийся тем, что для удаления используют способ, выбранный из группы, состоящей из влажного травления, сухого травления, лазерной обработки, сверления песком, обработки струей абразива, вращательно-вибрационного сверления, резания пилами и механической обработки на станках.

23. Устройство для формирования конструктивных элементов в полупроводниковой подложке, содержащее станину, выполненную с возможностью вибрации с некоторой частотой, множество инструментов, каждый из которых соединен со станиной, одиночный сонотрод, подсоединенный к станине инструментов, множество сонотродов, каждый из которых подсоединен к станине инструментов, множество сонотродов, каждый из которых соединяет один из инструментов со станиной, при этом во время вибрации основания каждый из множества инструментов формирует конструктивный элемент в полупроводниковой подложке, который имеет профиль, взаимообратный по отношению к профилю инструмента.

24. Устройство по п.23, отличающееся тем, что каждый инструмент изготовлен из металла или сплава металлов.

25. Устройство по п.24, отличающееся тем, что металл выбран из группы, состоящей из низкоуглеродистой или нержавеющей стали.

26. Устройство по п.23, отличающееся тем, что каждый сонотрод изготовлен из монель-металла (никелево-медного сплава).

27. Устройство по п.23, отличающееся тем, что каждый сонотрод имеет, по существу, рогообразную форму.