Способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик - SU522825A3
Код документа: SU522825A3
Описание
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА СИСТЕМЕ ФОТОПОЛУПРОВОДНИК-ДЮЛЕКТРИК
Реферат
Формула
Изобретение относится к способам формирования электрофотографического изображения на
системе фотополупроводник-диэлектрик для получения как скрытых, так и проявленных изображений
в электрофотографии.
Известен способ формирования электрофотографического
изображения на системе фотополупро - водник-диэлектрик, заключающийся в первичной
р авномерной электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной
электризации системы и равномерном экспонировании ее.
Целью изобретения является повышение контрастности открытого изображения.
Это достигается за счет осуществления операции повторной электризации одновременно с проецированием
, причем знак зарядов противоположен знаку зарядов первичной электризации.
Система фотополупроводник-диэлектрик состоит из диэлектрического слоя толщиной 10 - 50
мкм, вьшолненного из смол, стойких к истиранию, обладающих большим удельным сопротивлением,
прозрачных и способных удерживать электростатический заряд, например смол фтористого винила,
поликарбоната, полиэтилена и т.д., слоя фотополупрводника , например неорганического селенида, кадмия
, окиси цинка, металлического селена, сульфида кадмия, аморфного селена, сульфида цинка, двуокиси
титана, селен таллура, окиси свинца, серы,
либо органического-карбазола или антрацена.
Система может быть нанесена на подложку, в качестве которой используют проводники - олово,
медь, алюминий. Может быть использована и бумага .
На диэлектрический слой может быть нанесена масляная пленка.
Способ заключается в равномерном заряжении системы положительными зарядами для фотополупроводника
N -типа и отрицательными, для фотополупроводника Р-типа.
Проецирование изображения осуществляют одновременно с повторной электризацией зарядами
противоположной полярности. Заряд первичной электризации нейтрализ)тотся зарядами вторичной
электризации в участках, соответствующих элементам изображения. На неэкспонируемых
участках нейтрализация происходит лишь частично .
Таким образом, результирующий заряд полярности вторичной электризации на поверхности диэлектрического слоя больше в местах, соответствующих изображению, чем на пробельных участках.
Но заряд, который индуцируется в фотополупро водниковом слое, в пробельных участках ослабляет
внешнее электрическое поле диэлектрического слоя. В неэкспонированных участках заряды, индуцированные
фотополупроводниковым слоем, совпадают по знаку с зарядами вторичной электризации
, в результате чего внешнее электрическое поле в этих участках усиливается.
Если теперь систему фотополупроводник-диэлектрик поместить в темное место, поверхностньш
потенциал диэлектрического слоя в неэкспонированных участках в течение некоторого времени резко
уменьшится по сравне шю с потенциалом в экспонированных участках. С целью ускорения этого
процесса всю поверхность системы подвергают воздействию электромагнитного излучения, к которому
чувствительна система.
После воздействия этого излучения удерживаемые
внутри системы отрицательные заряды уходят в проводящую подложку, усиливая контрастность изображения.
Полученное скрытое электростатическое изображение может быть проявлено, перенесено на воспринимающий
материал и закреплено, а система очищена от остатков проявителя известными способами.
Формула изобретения
1. Способ формирования электрофотографического
изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик , заключающийся в первичной равномерной
электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной электризации
системы и равномерном зкспонированни ее электромагнитным излучением, к которому чувствителен
фотополупроводниковый слой, отличающийся тем, что, с целью повышения контрастности
открытого изображения, вторичную электризацию осуществляют зарядом, противоположным
по знаку зарядам первичной электризации, одновременно с проецированием.
2.Способ по п. 1,отличающийся тем, что на диэлектрический слой наносят масляную пленку.
3.Способ по п. 1,отличающийся тем, что полупроводниковьш слой наносят на проводящую подложку.
4.Способ по п. 1,отличающийся тем, что в качестве диэлектрического слоя применяют смолы
, например, фторэтилена, полиэфира.
5.Способ по п. 1,отличающийся тем, что
полученное скрытое электростатическое изображение проявляют, переносят на воспринимающий материал
, закрепляют пол)Д енное изображение и очищают систему фотополупроводник-диэлектрик.
6.Способ по а. i, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что первичный заряд имеет положительную полярность,
а фотопроводник проявляет проводимость Н -типа .
7.Способ по п. 1, отличающийся тем, что первичный заряд имеет отрицательную полярность,
а фотопроводдик проявляет проводимость Р-типа.
8.Способ по пп. 1,6и7,отличающийся
тем, что при перви шой электризации заряд, противоположный к первичной электризации полярности,
инжектируют в область, расположенную у границы
меходу фотопроводликом и диэлектриком.
