Способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик - SU522825A3

Изобретение относится к способам формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик для получения как скрытых, так и проявленных изображений в электрофотографии.

Известен способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупро - водник-диэлектрик, заключающийся в первичной р авномерной электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной электризации системы и равномерном экспонировании ее.

Целью изобретения является повышение контрастности открытого изображения.

Это достигается за счет осуществления операции повторной электризации одновременно с проецированием , причем знак зарядов противоположен знаку зарядов первичной электризации.

Система фотополупроводник-диэлектрик состоит из диэлектрического слоя толщиной 10 - 50 мкм, вьшолненного из смол, стойких к истиранию, обладающих большим удельным сопротивлением, прозрачных и способных удерживать электростатический заряд, например смол фтористого винила, поликарбоната, полиэтилена и т.д., слоя фотополупрводника , например неорганического селенида, кадмия , окиси цинка, металлического селена, сульфида кадмия, аморфного селена, сульфида цинка, двуокиси титана, селен таллура, окиси свинца, серы,

либо органического-карбазола или антрацена.

Система может быть нанесена на подложку, в качестве которой используют проводники - олово, медь, алюминий. Может быть использована и бумага .

На диэлектрический слой может быть нанесена масляная пленка.

Способ заключается в равномерном заряжении системы положительными зарядами для фотополупроводника N -типа и отрицательными, для фотополупроводника Р-типа.

Проецирование изображения осуществляют одновременно с повторной электризацией зарядами противоположной полярности. Заряд первичной электризации нейтрализ)тотся зарядами вторичной электризации в участках, соответствующих элементам изображения. На неэкспонируемых участках нейтрализация происходит лишь частично .

Таким образом, результирующий заряд полярности вторичной электризации на поверхности диэлектрического слоя больше в местах, соответствующих изображению, чем на пробельных участках. Но заряд, который индуцируется в фотополупро водниковом слое, в пробельных участках ослабляет внешнее электрическое поле диэлектрического слоя. В неэкспонированных участках заряды, индуцированные фотополупроводниковым слоем, совпадают по знаку с зарядами вторичной электризации , в результате чего внешнее электрическое поле в этих участках усиливается.

Если теперь систему фотополупроводник-диэлектрик поместить в темное место, поверхностньш потенциал диэлектрического слоя в неэкспонированных участках в течение некоторого времени резко уменьшится по сравне шю с потенциалом в экспонированных участках. С целью ускорения этого процесса всю поверхность системы подвергают воздействию электромагнитного излучения, к которому чувствительна система.

После воздействия этого излучения удерживаемые внутри системы отрицательные заряды уходят в проводящую подложку, усиливая контрастность изображения.

Полученное скрытое электростатическое изображение может быть проявлено, перенесено на воспринимающий материал и закреплено, а система очищена от остатков проявителя известными способами.

Формула изобретения

1. Способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик , заключающийся в первичной равномерной электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной электризации системы и равномерном зкспонированни ее электромагнитным излучением, к которому чувствителен фотополупроводниковый слой, отличающийся тем, что, с целью повышения контрастности открытого изображения, вторичную электризацию осуществляют зарядом, противоположным по знаку зарядам первичной электризации, одновременно с проецированием.

2.Способ по п. 1,отличающийся тем, что на диэлектрический слой наносят масляную пленку.

3.Способ по п. 1,отличающийся тем, что полупроводниковьш слой наносят на проводящую подложку.

4.Способ по п. 1,отличающийся тем, что в качестве диэлектрического слоя применяют смолы , например, фторэтилена, полиэфира.

5.Способ по п. 1,отличающийся тем, что полученное скрытое электростатическое изображение проявляют, переносят на воспринимающий материал , закрепляют пол)Д енное изображение и очищают систему фотополупроводник-диэлектрик.

6.Способ по а. i, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что первичный заряд имеет положительную полярность, а фотопроводник проявляет проводимость Н -типа .

7.Способ по п. 1, отличающийся тем, что первичный заряд имеет отрицательную полярность, а фотопроводдик проявляет проводимость Р-типа.

8.Способ по пп. 1,6и7,отличающийся тем, что при перви шой электризации заряд, противоположный к первичной электризации полярности, инжектируют в область, расположенную у границы

меходу фотопроводликом и диэлектриком.