1. Электрофотографический фоточувствительный элемент, содержащий
подложку,
фотопроводящий слой, предусмотренный на подложке и сформированный из аморфного кремния, и
поверхностный слой, предусмотренный на фотопроводящем слое и сформированный из гидрированного аморфного карбида кремния,
при этом электрофотографический фоточувствительный элемент дополнительно содержит между фотопроводящим слоем и поверхностным слоем переходный слой, состоящий по существу из пяти или более промежуточных слоев, каждый из которых сформирован из гидрированного аморфного карбида кремния,
причем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в каждом из промежуточных слоев, включенных в переходный слой, однообразно увеличивается от самого внутреннего промежуточного слоя на стороне фотопроводящего слоя к самому наружному промежуточному слою на стороне поверхностного слоя;
в переходный слой включены два или более промежуточных слоев, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее;
при этом среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, два слоя, прилегающих друг к другу, выбраны из числа промежуточных слоев, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее, и между двумя слоями, прилегающими друг к другу, отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном слое на стороне фотопроводящего слоя представлено посредством А, а отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном слое на стороне поверхностного слоя представлено посредством В, причем все промежуточные слои, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее, отвечают требованию, что скорость роста между слоями, которая определена следующим выражением (1):
имеет значение 19% или менее;
причем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое имеет значение от 0,61 или более до 0,90 или менее; и
отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое выше, чем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в любом промежуточном слое, включенном в переходный слой.