Способ получения фоточувствительного материала - SU417961A3

1

Изобретение относится к способу изготовления фоточувствительиого электрографического материала.

Известен способ изготовления фоточувс1вительного электрофотографического материала, заключающий в образовании на подложке фотопроводникового слоя (иапример, из аморфного селена), фоточувствительного, задерживающего заряды слоя, обладающего свойством устойчивой внутренней поляризации, и изоляционного слоя на одной стороне фоточувствительного .

Однако таким способом трудно изготовлять материал, способный к эффективной задержке зарядов и улучщенной фоточувствительностью , так как материалы с большим числом уровней задержки зарядов, применяемые для образования фотопроводникового слоя, имеют низкую фоточувствительность.

Целью предлагаемого изобретения является изготовление фоточувствительного материала для электрофотографии, обладающего высокой степенью задержки зарядов и высокой фоточувствительностью.

Согласно изобретению, фоточувствительный материал, имеющий высокую чувствительность , изготовляют образованием на подложке фотопроводникового слоя осаждением паров сплава селен - теллур, содержащего 40 мол.% теллура, образованием фоточувствительного задерживающего заряды слоя, обладающего свойством устойчивой внутренней 1юлярпзации между фотопроводниковым и изоляционным слоями одновременным осаждением паров сплава селен - теллур, содержащего 16 мол.% теллура, и сплава селеп - теллур , содержащего 40 мол.% теллура, и последующим образованием слоя с высокими изоляционны .ми сво11ствамп на одной стороне фоточувствительпого слоя.

На фиг. 1 показано строение фоточувствительпого материала настоящего изобретения; на фиг. 2 дан график зависимости интенсивиости скрытого изображения от величины экснозиции .

Как показано на фиг. 1, фоточувствительный материал содержит нодложку 1, которая может быть металлической или из диэлектрика , фоточувствительный слой 2, который может быть получен нз известных высокочувствительных фотопроводниковых материалов, слой 3, полученный осаждением смеси паров материала с высокой степенью задержки зарядов, и изоляционный слой 4, которые расположены в указанном на рисунке порядке и связаны в единую структуру.

Пример i. Для осаждения паров используют резервуар со множеством раздельпых и нагреваемых лодочек. Сплав селена п теллура (порошок), содержащий 40 мол.% теллура и используемый в качестве высокочувствительного материала, помещают в многие одинаковые лодочки, и сплав селепа и теллура, содержащий 16 мол.% теллура и используемый в качестве материала с высокой степенью задержки заряда, помещают в одну лодочку. Б испарителе располагают подложку из алюминиевого листа, после удаления воздуха все лодочки, содержащие сплав селен - теллур с 40 мол.% теллура, за исключением одной, используют последовательно с определеппым интервалом времени для образования однородного слоя, содержащего некоторое количество теллура независимо от разности давлений паров селена и теллура. Получают слой пз сплава селей - теллур толщиной 30 мк с содержанием теллура 40 мол.%. После этого оставщиеся две лодочки (лодочку со сплавом, содержащим 16 мол.% теллура, и лодочку со сплавом, содерл.ащим 40 мол.% теллура), используют одновременно для образования слоя 3 толщиной 1 мк, содержащего материал с высокой фоточувствительпостью и материал с высокой степенью задержки зарядов, на осажденном слое из сплава селен - теллур. Зате.ч подложку вынпмают из аппарата и на поверхности слоя 3 образуют изоляционный слой из поликарбоната толщиной 10 мк. Осаждение паров сплавов селен - теллур осуществляют при величине вакуума выше мм рт. ст. При этом температуру в лодочках тн.ательно регулируют таким образом, чтобы осалсденне проходило со скоростью менее 0,1 мк/мин. С увеличением содержания теллура в сплаве необходимо увеличить температуру лодочки.

Для зарядки поверхности изоляционного слоя 4 (величина заряда - 2000 в) используют коронный разряд. Зарядку поверхнос1и изоляционного слоя зарядом противоположной полярности осуществляют одновременно с экспонированием изображения в течение 0,2 сек (освещенность 2 люкс на освещенных участках) с целью образования скрытого изображения на поверхности изоляционного слоя, соответствующего экспонированному изображению и имеющего потенциал -100 в па участках, соответствующих темпым участкам экспонированного изображения, и потепциал + 200 в на участках, соответствующих освещенным участкам экспонированного изображения . Скрытое изображение проявляют заряженным нроявляющим порошком и затем печатают путем переноса. После переноса поверхность фоточувствительного материала очищают, оставшееся скрытое изображение удаляют известным способом.

На фиг. 2 показана зависимость между величиной экспозиции фоточувствительпого материала и интепсивностью скрытого изобрач ения . Кривая а показывает, что интепси15 (юсть скрытого изображения достигает максимум при величине освещенности экспонируемого изобрал ;ения примерно 3 люкс, и что дальнейшее увеличение освещенностп не приводит , к возрастанию интенсивностн скрытого

изображения.

Если слой 3 содержит только 16 мол.% теллура , то невозмолиш получить скрытое изображение сравнимой интенсивности без увеличении освещенности экспонируемого изображения в несколько раз. С другой стороны, когда фоточувствительпый материал содержит фоточувствительный слой, сосюящий только из сплава селеп - теллур с содержанием теллура 40 мол.%, по не содержит фоточувствительного слоя из сплава с содержанием теллура 16 мол.%, разность в нанряжениях ярких и темных участков экспонированного изображения мала и не может быть иснользована практически. Фоточувствительный слой

толщиной 1 мк, содерл ащий первый слой из сплава селен - теллур с содержанием 16 мол.% теллура и второй слой с содержанием 40 мол. % теллура, получеппый осаждением паров на новерхность нервого слоя, и

фоточувствительный слой, содержащий первый слой из снлава селен - теллур с содержанием 40 .мол.% теллура и второй слой с содержанием 16 мол.% теллура, осажденный на одну новерхность нервого слоя до толщины

слоя 1 мк, образуют скрытые изображения с более низкой и 1тенсивностью, чем описанные выше слои. Более того, чувствительность последпего фоточувствителыюго материала низка и такой материал не может быть использова практически. Топкий осажденный слой смеси, имеющий толщину около 1 мк, показывает хорошие характеристики, потому что такой фоточувствительный материал, как сплав селен - теллур, обладает очень высокой способностью к поглощению света. Почти все световые лучи поглощаются в поверхностном слое, так что свободные носители зарядов , возбужденные поглощещп ьм светом, легко перемещаются па более далекое расстояние . В связи с этим толщину слоя 3 смеси необходимо устанавливать в зависимости от степени поглощения света.

Кроме того, увеличение интенсивности полученного скрытого изображения можно достичь

облегчением перепоса носителей зарядов между частицами двух различных фоточувствительных материалов в смеси. Это может быть достигнуто термической обработкой.

Пример 2. Фоточувствительный материал,

изготовленный по примеру 1, подвергают термической обработке на воздухе при 65°С в течение 3 час. Скрытое изображение получают как в примере 1. Как показывает кривая б (см. фиг. 2), чувствительность скрытого изобралсения увеличивается в 1,7 раза и появляется возможность улучнтения репродукции промелсуточных тонов.

Термическая обработка понижает барьерный эффект, существующий между частицами

различных фоточувствптельных материалов.

таким образом, способствуя более легкомупереносу носителей зарядов. Следовательно, характеристики частиц двух различных материалов проявляются эффективно. Установлено , что воздействие термической обработки более эффективно с увеличением различия характеристик двух фоточувствительных материалов .

П f) с д .м с т н зебре т е и и я

1. Способ получения фоточувствительпого материала путем нанесения на подложку фотопроводникового слоя, фоточувствительного, задерживающего заряды слоя, обладающего

,г Л

.- Г- r«.f-П-.. ,. ,3te:c;

. ,

риг./

I

1Ш )

,,§, Ш/7.

I

I

IJ

д

Ш5 j ti

4

и

2Ю

о о,г 1 л i 5 ,//-

внутренне поляризацией, и изоляционного слоя с высокими изоляционными свойствами, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности материала, нанесение на подлол.ку фотопроводникового слоя ведут осаждением паров сплава селен - теллур , содержаи1,его 40 мол.% последнего, а задерживающего заряды - путем одповременного осаждения на полученный материал паров сплава селен--теллур, содержащего 16 мол.% последнего, и наров сплава селен - теллур, содержащего 40 ,;ол.% теллура.

2. Способ по п. 1, отличаю щ и и с я тем, что полученный в нрон,ессе материал нагревают нри темнературе 65°С не ,3 час.

,

а.