Композиции для удаления фоторезиста для очистки ионно-имплантированного фоторезиста с пластин полупроводниковых устройств - RU2011139105A

Реферат

1. Композиция для удаления фоторезиста после ионной имплантации высокой дозы с поверхности полупроводникового устройства, где композиция содержит:по крайней мере, один растворитель, имеющий температуру вспышки >65°C,по крайней мере, один компонент, дающий ион нитрония, ипо крайней мере, одно соединение фосфоновой кислоты, ингибирующее коррозию.2. Композиция по п.1, где, по крайней мере, один растворитель является сульфоланом.3. Композиция по п.1, где, по крайней мере, один компонент, дающий ион нитрония, является соединением нитрония, выбранным из группы, состоящей из нитронийтетрафторбората (NOBF), нитронийперхлората (NOClO), нитронийфторсульфата (NOSOF) и нитронийтрифлата (NOSOCF).4. Композиция по п.1, где соединение фосфоновой кислоты, ингибирующее коррозию, выбрано из группы, состоящей из аминотриметиленфосфоновой кислоты, диэтилентриаминопента(метиленфосфоновой кислоты) (DETPA), N,N,N',N'-этилендиаминтетра(метиленфосфоновой кислоты), 1,5,9-триазациклодекан-N,N',N''-трис(метиленфосфоновой кислоты) (DOTRP), 1,4,7,10-тетраазациклододекан-N,N',N'',N'''-тетракис(метиленфосфоновой кислоты) (DOTP), нитрилотрис(метилен) фосфоновой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфоновой кислоты) (DETAP), аминотри(метиленфосфоновой кислоты), 1-гидроксиэтилен-1,1-дифосфоновой кислоты, бис(гексаметилен)триаминфосфоновой кислоты и 1,4,7-триазациклононан-N,N',N''-трис(метиленфосфоновой кислоты) (NOTP).5. Композиция по п.1, где, по крайней мере, один растворитель является сульфоланом, соединение нитрония является нитронийтетрафторборатом и соединение фосфоновой кислоты, ингибирующее коррозию, является аминотриметиленфосфоновой кислотой.6. Композиция по п.1, где растворитель явля