Композиция для удаления "отложений на стенках" - RU2005101613A

Реферат

1. Композиция для производства полупроводников, включающая H₂SiF₆ и/или HBF₄ в общем количестве 10-500 мг/кг, 12-17 мас.% H₂SO₄, 2-4 мас.% H₂O₂, необязательно в комбинации с добавками, в водном растворе.

2. Применение композиции, включающей H₂SiF₆ и/или HBF₄ в качестве средства для удаления остаточного полимера в технологической операции при производстве полупроводников.

3. Применение по п.2 для удаления остаточных полимеров с Al или Al-содержащих токопроводящих дорожек.

4. Применение по п.2 для удаления остаточных полимеров после сухого травления на металлических токопроводящих дорожках и контактных отверстиях.

5. Применение композиции по п.1 для удаления остаточных полимеров с алюминия или медно/алюминиевых сплавов.

6. Применение композиции, включающей H₂SiF₆ и/или HBF₄ в общем количестве 10-500 мг/кг, 12-17 мас.% H₂SO₄, 2-4 мас.% H₂O₂, необязательно в комбинации с добавками, в водном растворе, по одному или более из пп.2-5.

7. Применение по одному или более из пп.2-6 для удаления остаточных полимеров в технологической операции при производстве полупроводников с применением вращательной травильной машины или в устройстве резервуарного типа.

8. Способ удаления остаточных полимеров с Al или Al-содержащих токопроводящих дорожек, отличающийся тем, что остаточные полимеры удаляют, применяя композицию по п.1.