Способ изготовления подложки с резистом - RU2005129551A

Реферат

1. Способ изготовления подложки, снабженной слоем (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста с рельефной структурой (7), воспроизводящей дифракционную структуру, и примыкающим к слою резиста по меньшей мере на отдельных участках проводящим слоем (2, 12, 19, 20, 23, 31), который при экспонировании слоя (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста электронным лучом (4) рассеивает первичные электроны и/или эмиттирует вторичные электроны, отличающийся тем, что материал слоя (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста и материал проводящего слоя (2, 12, 19, 20, 23, 31), а также параметры экспонирования согласуют между собой с таким расчетом, чтобы слой (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста подвергался экспонированию и вне зоны (5) воздействия электронного луча (4) таким образом, чтобы у получаемой таким путем рельефной структуры (7) образующие ее рельефные элементы имели наклонные боковые поверхности.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают рельефную структуру (7), у которой угол (8) наклона боковых поверхностей образующих ее рельефных элементов составляет менее 89°.

3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий слой (2, 12, 19, 20, 23, 31) выполняют из материала, содержащего по меньшей мере один металл с атомным номером больше 50.

4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий слой (2, 12, 19, 20, 23, 31) содержит по меньшей мере один элемент из группы, включающей вольфрам, золото, палладий, хром и алюминий, или сплавы этих элементов.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводящий слой (2, 20, 23) располагают между слоем (3, 22, 24) резиста и подложкой (1).

6. Способ по п.5, отличающийся тем, что между проводящим слоем (20) и слоем (22) резиста располагают противоотражающий слой (21), поглощающий оптическое излучение.

7. Способ по п.5 или 6, отличающийся тем, что слой (3, 22, 24) резиста выполняют из негативного резиста.

8. Способ по п.5, отличающийся тем, что на слой (24) резиста наносят другой слой (25) резиста, чувствительного к электромагнитному излучению.

9. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводящий слой (12, 19, 31) располагают в направлении излучения перед слоем (11, 15, 30) резиста.

10. Способ по п.9, отличающийся тем, что слой (11, 15, 30) резиста выполняют из позитивного резиста.

11. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что поверх слоя (11, 15, 30) резиста располагают другой слой резиста.

12. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящим слоем является подложка.

13. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий слой располагают на отдельной пленке.

14. Способ по п.1, отличающийся тем, что для выполнения слоя (15, 22) резиста используют резистный материал, чувствительный к экспонированию электромагнитным излучением и электронным лучом, и часть слоя (15, 22) резиста подвергают воздействию электромагнитного излучения с использованием маски (17).

15. Способ по п.8, отличающийся тем, что часть другого слоя (25, 32) резиста экспонируют электромагнитным излучением, а расположенный в направлении излучения позади этого другого слоя (25, 32) резиста слой (24, 30) резиста экспонируют электронным лучом (4).

16. Способ по п.14 или 15, отличающийся тем, что в экспонированной электромагнитным излучением части слоя (15, 22) резиста или другого слоя (25, 32) резиста создают истинную голограмму.

17. Способ по п.14 или 15, отличающийся тем, что путем экспонирования слоя (15, 22) резиста или другого слоя (25, 32) резиста электромагнитным излучением создают дифракционную решетку.

18. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в слое (3, 11, 15, 22, 24, 30) резиста путем его экспонирования электронным лучом создают дифракционную решетку.

19. Резистная матрица, изготовленная способом по одному из пп.1-18.

20. Применение резистной матрицы по п.19 для изготовления штампов для тиснения, прежде всего цилиндров для тиснения.

21. Применение резистной матрицы по п.19 для изготовления защитных элементов.

22. Подложка с резистом, снабженная слоем (3, 11, 15, 22, 24, 30) электронорезиста и проводящим слоем, который при экспонировании слоя (3, 11, 15, 22, 24, 30) резиста электронным лучом (4) рассеивает электроны и/или эмиттирует вторичные электроны, отличающаяся тем, что проводящий слой содержит по меньшей мере один металл с атомным номером, большим или равным 50.

23. Подложка по п.22, отличающаяся тем, что проводящий слой (2, 12, 19, 20, 23, 31) содержит по меньшей мере один элемент из группы, включающей вольфрам, золото, палладий, хром и алюминий, или сплавы этих элементов.

24. Подложка по п.22, отличающаяся тем, что проводящий слой (2, 20, 23) расположен между слоем (3, 22, 24) резиста и подложкой (1).

25. Подложка по п.24, отличающаяся тем, что между проводящим слоем (20) и слоем (22) резиста расположен противоотражающий слой (21), поглощающий оптическое излучение.

26. Подложка по п.24 или 25, отличающаяся тем, что слой (3, 22, 24) резиста выполнен из негативного резиста.

27. Подложка по п.24 или 25, отличающаяся тем, что на слой (24) резиста нанесен другой слой (25) резиста, чувствительного к электромагнитному излучению.

28. Подложка по п.22 или 23, отличающаяся тем, что проводящий слой (12, 19, 31) расположен в направлении излучения перед слоем (11, 15, 30) резиста.

29. Подложка по п.28, отличающаяся тем, что слой (11, 15, 30) резиста выполнен из позитивного резиста.

30. Подложка по п.28, отличающаяся тем, что поверх слоя (11, 15, 30) резиста расположен другой слой резиста.