Подложка для электронной литографии высокого разрешения и соответствующий способ литографии - RU2015104036A

Реферат

1. Структура основания для слоя материала, предназначенного для селективной обработки, по рисунку высокого разрешения, при этом структура предназначена также для приема электронно-чувствительного маскирующего слоя (26) для определения рисунка, отличающаяся тем, что содержит наслоение подложки (10) и промежуточного слоя (22) из пористого материала с плотностью, по меньшей мере, в два раза меньшей, чем плотность такого же непористого материала, причем этот материал имеет незначительную атомную массу менее 32.2. Структура основания по п. 1, отличающаяся тем, что атомная масса материала меньше 20.3. Структура основания по п. 2, отличающаяся тем, что плотность составляет от 0,1 до 0,5 плотности непористого материала.4. Структура основания по п. 1, отличающаяся тем, что пористый слой выполнен из пористого кремния или из углеродных нанотрубок.5. Структура основания по п. 4, отличающаяся тем, что толщина промежуточного слоя составляет, по меньшей мере, 50 микрометров.6. Структура основания по одному из пп. 1-5, отличающаяся тем, что слой материала, предназначенный для обработки, является слоем монокристаллического кремния, и тем, что структура основания содержит изолирующий слой поверх промежуточного пористого слоя, при этом слой монокристаллического кремния сформирован поверх изолирующего слоя.7. Структура основания по одному из пп. 1-5, отличающаяся тем, что слой материала, предназначенного для обработки, является слоем проводящего, изолирующего или полупроводникового материала, нанесенным поверх слоя монокристаллического кремния, и тем, что структура основания содержит изолирующий слой поверх промежуточного пористого слоя, при этом слой монокристаллического кремния