Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности - RU2005110686A
Код документа: RU2005110686A
Реферат
1. Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности на кристалле (55), имеющем верхнюю поверхность (11), в которой выполнено по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), отличающийся тем, что он включает в себя этапы, на которых:
(140) накладывают на упомянутую верхнюю поверхность (11) пленку (30) негативного фоторезиста, покрывающую упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12);
(141) экспонируют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством первой маски (31) в зоне (27), которая покрывает упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), так, что упомянутая пленка (30) полимеризуется в соответствии с упомянутой зоной (27);
(142) удаляют неполимеризованную часть упомянутой пленки (30) негативного фоторезиста таким образом, что, в соответствии с упомянутой зоной (27), поверх упомянутого по меньшей мере одного вытравленного углубления (12) остается покрытие (33);
(171) распределяют слой (161) резиста для обратной литографии на упомянутой верхней поверхности (11) упомянутого кристалла (55) и на упомянутом покрытии (33);
(172) распределяют слой (160) позитивного фоторезиста на упомянутом слое (161) резиста для обратной литографии.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что он также включает в себя этапы, на которых:
(174) экспонируют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством маски (13), которая имеет по меньшей мере одно окно (122), таким образом, что упомянутый слой (160) деполимеризуется в соответствии с упомянутым окном (122);
(175) удаляют деполимеризованную часть упомянутого слоя (160) позитивного фоторезиста таким образом, что получают по меньшей мере одну полость (64).
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что упомянутая по меньшей мере одна полость (64) имеет края (24) и подтравливания (22), упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста имеет верхнюю поверхность (114), а упомянутый способ также включает в себя этапы, на которых:
(176) наносят первый осажденный слой (52, 54) на упомянутую верхнюю поверхность (11) и дополнительно осажденный слой (116) на упомянутую верхнюю поверхность (114);
(177) удаляют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста и упомянутый слой (161) резиста для обратной литографии посредством растворителя, который действует через упомянутые края (24) и упомянутые подтравливания (22), оставляя в стороне упомянутый дополнительно осажденный слой (116);
(143) удаляют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) являются металлическими.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой золота, или титана, или платины.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой сплава золота / олова.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что упомянутый осажденный слой (116) и упомянутый осажденный слой (52, 54) содержат неметаллические материалы.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат оксид.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат карбид.
10. Способ по п.7, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат нитрид.
11. Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности на кристалле (55), имеющем верхнюю поверхность (11), в которой выполнено по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), отличающийся тем, что он включает в себя этапы, на которых:
(140) накладывают на упомянутую верхнюю поверхность (11) пленку (30) негативного фоторезиста, покрывающую упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12);
(141) экспонируют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством первой маски (31) в зоне (27), которая покрывает упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), так, что упомянутая пленка (30) полимеризуется в соответствии с упомянутой зоной (27);
(142) удаляют неполимеризованную часть упомянутой пленки (30) негативного фоторезиста таким образом, что, в соответствии с упомянутой зоной (27), поверх упомянутого по меньшей мере одного вытравленного углубления (12) остается покрытие (33);
(172) распределяют слой (160) позитивного фоторезиста на упомянутой верхней поверхности (11) упомянутого кристалла (55) и на упомянутом покрытии (33).
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что он также включает в себя этапы, на которых:
(174) экспонируют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством маски (13), которая имеет по меньшей мере одно окно (122), таким образом, что упомянутый слой (160) деполимеризуется в соответствии с упомянутым окном (122);
(175) удаляют деполимеризованную часть упомянутого слоя (160) позитивного фоторезиста таким образом, что получают по меньшей мере одну полость (64').
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что упомянутая по меньшей мере одна полость (64') имеет стенки (15), упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста имеет верхнюю поверхность (114), а упомянутый способ также включает в себя этапы, на которых:
(176) наносят первый осажденный слой (52, 54) на упомянутую верхнюю поверхность (11) и дополнительно осажденный слой (116) на упомянутую верхнюю поверхность (114);
(177) удаляют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста посредством растворителя, который действует через упомянутые стенки (15), оставляя в стороне упомянутый дополнительно осажденный слой (116);
(143) удаляют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) являются металлическими.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой золота, или титана, или платины.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой сплава золота / олова.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) выполнены из неметаллических материалов.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат оксид.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат карбид.
20. Способ по п.17, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат нитрид.
