Способ изготовления экспонированной подложки - RU2005129549A

Реферат

1. Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них и при изготовлении которой используют по меньшей мере два слоя фоторезистов, согласованных с типом создаваемых изображений.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что фоторезисты наносят на участки, на которых создают изображения, слоями различающейся между собой толщины.

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что слои фоторезистов выполняют из одинакового материала.

4. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что слои фоторезистов согласованы с типом создаваемого рельефного профиля.

5. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что слои фоторезистов согласованы с различными типами излучений.

6. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что слои фоторезистов располагают один над другим или рядом друг с другом.

7. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что участки с различными изображениями по меньшей мере частично взаимно перекрываются.

8. Способ по п.7, отличающийся тем, что взаимно перекрывающиеся участки, на которых создают изображения, экспонируют в одном слое фоторезиста.

9. Способ по п.7, отличающийся тем, что взаимно перекрывающиеся участки, на которых создают изображения, экспонируют в расположенных один над другим слоях фоторезистов.

10. Способ по п.1, заключающийся в том, что подложку покрывают первым фоторезистом, на первый фоторезист на участке, на котором создают первое изображение, воздействуют излучением первого типа, проявляют первый фоторезист, на подложку наносят второй фоторезист, на второй фоторезист на участке, на котором создают второе изображение, воздействуют излучением второго типа и проявляют второй фоторезист.

11. Способ по п.1, заключающийся в том, что подложку покрывают первым фоторезистом слоем первой толщины, на первый фоторезист на участке, на котором создают первое изображение, воздействуют излучением, проявляют первый фоторезист, на подложку наносят второй фоторезист слоем второй толщины, на второй фоторезист на участке, на котором создают второе изображение, воздействуют излучением и проявляют второй фоторезист.

12. Способ по п.1, отличающийся тем, что для нанесения слоя (1, 12, 24) первого фоторезиста и слоя (9, 19, 32) второго фоторезиста используют либо позитивный, либо негативный резист.

13. Способ по п.1, отличающийся тем, что для нанесения слоя первого фоторезиста используют негативный резист (1, 19, 32), а для нанесения слоя второго фоторезиста используют позитивный резист (12, 19, 24) или наоборот.

14. Способ по п.12 или 13, отличающийся тем, что при использовании позитивного резиста (12, 19, 24) сначала экспонируют относящийся к нему участок, на котором создают соответствующее изображение, а затем с использованием маски (15, 22) излучением (16, 23, 30) воздействуют на окружающую этот участок зону.

15. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что между слоем (1, 12, 24) первого фоторезиста и слоем (9, 19, 24) второго фоторезиста наносят барьерный слой (31).

16. Способ по п.15, отличающийся тем, что в качестве барьерного слоя (31) используют металлический или оксидный слой.

17. Способ по одному из п.10 или 11, отличающийся тем, что в качестве излучения (3, 10, 13, 20, 33) первого и второго типов используют корпускулярное либо электромагнитное излучение.

18. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве излучения (3, 10, 13, 20, 33) первого или второго типа используют электронный луч либо лазерное излучение.

19. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что в слое первого и/или второго фоторезиста экспонируют или записывают дифракционные структуры.

20. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что на по меньшей мере одном из участков, на которых создают изображения, экспонированием получают истинную голограмму.

21. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что на по меньшей мере одном из участков, на которых создают изображения, записывают или экспонируют решетчатое изображение.

22. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что на по меньшей мере одном из участков, на которых создают изображения, записывают или экспонируют решетчатое изображение с нулевым порядком дифракции.

23. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что создают более двух участков с изображениями.

24. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что по меньшей мере один из слоев фоторезистов наносят на стеклянную пластину, тисненую полимерную пленку, тисненую фольгу или на гальваноматрицу и экспонируют на ней.

25. Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них, заключающийся в том, что на подложку наносят слой фоторезиста, который затем на участке одного из создаваемых изображений экспонируют оптическим излучением, а на участке другого из создаваемых изображений экспонируют корпускулярным излучением.

26. Способ по п.25, отличающийся тем, что участки с различными изображениями по меньшей мере частично взаимно перекрываются.

27. Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них, заключающийся в том, что на подложку, снабженную дифракционной структурой в виде рельефной структуры, наносят слой фоторезиста, который затем экспонируют на участке одного из создаваемых изображений, после чего удаляют неэкспонированные участки слоя фоторезиста, обнажая находящуюся под ними рельефную структуру, образующую участок со вторым изображением.

28. Способ по п.27, отличающийся тем, что в качестве подложки используют гальваноматрицу, тисненую полимерную пленку или тисненую фольгу.

29. Резистная матрица, изготовленная способом по одному из пп.1-28.

30. Резистная матрица по меньшей мере с одним слоем фоторезиста, имеющим участок с первым изображением, экспонированный оптическим излучением, и участок со вторым изображением, экспонированный корпускулярным излучением.

31. Резистная матрица по меньшей мере с двумя слоями фоторезистов, каждый из которых экспонирован по меньшей мере на одном участке с изображением, при этом участки с изображениями, полученными в обоих слоях фоторезистов, экспонированы излучениями различных типов.

32. Резистная матрица по меньшей мере с одним слоем фоторезиста, имеющим участок с первым изображением в виде полученного экспонированием решетчатого изображения с нулевым порядком дифракции и участок со вторым изображением в виде полученного экспонированием решетчатого изображения с первым порядком дифракции.

33. Резистная матрица по меньшей мере с двумя слоями фоторезистов, каждый из которых экспонирован по меньшей мере на одном участке с изображением и слои которых имеют различающуюся между собой толщину.

34. Резистная матрица по п.33, отличающаяся тем, что в каждом слое фоторезиста экспонировано решетчатое изображение с нулевым порядком дифракции.

35. Резистная матрица по одному из пп.30-34, отличающаяся тем, что участки с изображениями по меньшей мере частично взаимно перекрываются.

36. Защитный элемент, изготовленный с использованием резистной матрицы по одному из пп.29-35.

37. Применение резистной матрицы по одному из пп.29-36 для изготовления штампов для тиснения, прежде всего цилиндров для тиснения.

38. Способ изготовления резистной матрицы, заключающийся в том, что на уже снабженную рельефной структурой основу наносят пригодный для тиснения лаковый слой, в котором тиснением выдавливают решетчатое изображение.