Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур - RU2012124336A

Реферат

1. Способ изготовления маски и/или диафрагмы лазерной установки для создания микроструктур на поверхности твердого тела, в которой промежутки маски и/или диафрагмы, являющиеся непрозрачными для лазерного луча, рассеивают лазерное излучение, отличающийся тем, что промежутки, рассеивающие лазерное излучение, выполняются шероховатыми и модифицируются посредством луча фемтосекундного, или пикосекундного лазера или лазера на молекулах фтора.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварцевого стекла SiO, или сапфира AlO, или фторида кальция CaFили фторида магния MgF3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что фемтосекундный лазер имеет среднюю длину волны 775 нм или уменьшенный импульс длины волны в два, либо в три раза, а длина волны лазера на молекулах фтора равна 157 нм.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что получают маску (78), имеющую ряд прозрачных треугольников, или маску (79), имеющую ряд полос ступенчатой прозрачности.5. Применение маски и диафрагмы, полученных согласно способу по пп.1-4 для создания микроструктуры на поверхности твердого тела, в которой, по крайней мере, одна маска, и, по крайней мере, одна диафрагма установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем, по крайней мере, одна маска расположена в однородной точке HS блока проектирования маски установки эксимерного лазера и служит для создания концентрирующей дифракционной решетки (77).6. Применение по п.5, отличающееся тем, что концентрирующие решетки (77) расположены в виде массива дифракционной решетки, причем период решетки g варьируется от 0,5 до 5 мкм, и причем концентрирующая решетка может быть линейной или кольцевой.7. Примене�