Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла - RU2002132889A

Реферат

1. Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла, причем указанная заготовка оптического элемента на основе фторидного кристалла содержит множество кристаллических субзерен, причем каждое из указанных субзерен имеет кристаллическую структуру субзерен, причем указанная заготовка на основе фторидного кристалла включает в себя, по меньшей мере, первую структуру субзерен и вторую структуру субзерен, причем указанная вторая структура субзерен находится рядом с указанной первой структурой субзерен и граничит с ней на первой границе дефектов, образованной множеством дефектов дислокации, причем указанные граничные дефекты дислокации имеют граничный угол между соседними первым субзерном и вторым субзерном, причем указанный граничный угол между первым субзерном и вторым субзерном составляет менее двух минут, причем указанная заготовка оптического элемента на основе кристалла имеет содержание примесей менее 1 млн^-1 Pb по массе, менее 0,5 млн^-1 Ce по массе, менее 2 млн^-1 Na по массе и менее 2 млн^-1 K по массе, причем указанная заготовка имеет 10-кратный показатель поглощения на длине волны 157 нм менее 0, 0022/см и 10-кратный показатель поглощения на длине волны 193 нм менее 0,00043/см, причем указанная заготовка имеет оптическую однородность менее 2 млн^-1 и среднее двулучепреломление менее 2 нм/см согласно среднеквадратичному значению при максимальном двулучепреломлении менее 5 нм/см.

2. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка содержит третью структуру субзерен, причем указанная третья структура формирует вторую границу дефектов с соседней граничащей с ней структурой субзерен, причем указанная вторая граница дефектов имеет второй граничный угол между соседними субзернами, причем указанный второй граничный угол между соседними субзернами меньше 2 мин.

3. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанный первый граничный угол между первым субзерном и вторым субзерном меньше или равен одной минуте.

4. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.2, отличающаяся тем, что указанный второй граничный угол между соседними субзернами меньше или равен одной минуте.

5. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка состоит из фторида кальция.

6. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка состоит из фторида бария.

7. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет уровень содержания примеси Pb менее 100 млрд^-1 по массе.

8. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет уровень примеси Na менее 0,5 млн^-1 по массе.

9. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет уровень содержания примеси К менее 0,5 млн^-1 по массе.

10. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет поглощение свинцом на длине волны 205 нм <0,23 см^-1 при локальном облучении с длиной волны 205 нм.

11. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет поглощение церием на длине волны 306 нм <0,35×10^-3 см^-1 при локальном облучении с длиной волны 306 нм.

12. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка не имеет пика поглощения кислорода в диапазоне длин волн от 140 нм до 150 нм.

13. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет среднее двулучепреломление меньше 1 нм/см (среднеквадратичное значение) при максимальном двулучепреломлении менее 2 нм/см.

14. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет поверхность большого размера, причем поверхность указанной заготовки имеет множество поверхностных субзерен, ограниченных соседними, граничащими с ними субзернами с граничными углами дезориентации в диапазоне от >20 с до <2 мин, где указанная поверхность заготовки имеет, по меньшей мере, три поверхностных субзерна на см².

15. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.13, отличающаяся тем, что указанная поверхность большого размера имеет площадь поверхности, по меньшей мере, 300 см².

16. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.14, где указанная заготовка состоит, по существу, из множества субзерен фторида кальция, ограниченных соседними, граничащими с ними субзернами фторида кальция с граничными углами дезориентации в диапазоне от > 20 с до <2 мин.

17. Способ изготовления заготовки линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла, включающий в себя формирование расплава кристаллического фторида, кристаллизацию указанного расплава во фторидный кристаллический элемент с большим размером ≥200 мм, отжиг указанного фторидного кристаллического элемента, оценку указанного отожженного фторидного кристаллического элемента для обеспечения заготовки линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла с показателем внутреннего поглощения на длине волны 157 нм меньше 0,0022/см и показателем внутреннего поглощения на длине волны 193 нм меньше 0,00043/см, с поглощением свинцом на длине волны 205 нм <0,23 см^-1 при локальном облучении, поглощением церием на длине волны 306 нм <0,7× 10^-3 см^-1 при локальном облучении, со средним двулучепреломлением менее 2 нм/см, с максимальным двулучепреломлением менее 5 нм/см и оптической однородностью менее 2 млн^-1 при граничном угле дезориентации между поверхностными субзернами ≤2 мин.

18. Способ по п.17, отличающийся тем, что формирование расплава кристаллического фторида включает в себя плавление сырьевого материала фторида кальция высокой степени чистоты, имеющего следующие уровни содержания примесей по массе: Li - меньше или равно 1 млн^-1, Na - меньше или равно 3,3 млн^-1, К - меньше или равно 3,8 млн^-1, Mg - меньше или равно 0,5 млн^-1, Sr - меньше или равно 19 млн^-1, Ba - меньше или равно 0,5 млн^-1, Sc - менее 0,2 млн^-1, Y - менее 0,2 млн^-1, La - менее 0,2 млн^-1, Gd - меньше или равно 0,2 млн^-1, Yb - менее 0,2 млн^-1, Ti - менее 0,2 млн^-1, Cr - менее 0,2 млн^-1, Mn - меньше или равно 4,2 млн^-1, Fe - меньше или равно 0,4 млн^-1, Co - меньше или равно 0,2 млн^-1, Ni - менее 0,2 млн^-1, Cu - меньше или равно 0,3 млн^-1, О - менее 200 млн^-1.

19. Способ по п.17, отличающийся тем, что формирование расплава кристаллического фторида включает в себя обеспечение, по меньшей мере, одного деоксигенированного уплотненного твердого диска из кристаллического фторида, имеющего диаметр ≥200 мм, и плавление, по меньшей мере, одного деоксигенированного уплотненного твердого диска из кристаллического фторида с диаметром ≥200 мм.

20. Способ по п.17, отличающийся тем, что формирование расплава кристаллического фторида включает в себя формирование расплава фторида кальция, и оценка включает в себя анализ пиков поглощения кислорода внутри диапазона длин волн от 140 нм до 150 нм.

21. Способ по п.17, отличающийся тем, что оценка включает в себя измерение спектра поглощения элемента в диапазоне от 200 до 220 нм для пика поглощения свинцом на длине волны 205 нм и облучение элемента излучением с длиной волны 203 нм и измерение спектра люминесценции, полученного за счет облучения элемента.

22. Способ по п.21, отличающийся тем, что оценка включает в себя определение граничных углов дезориентации поверхностных субзерен элемента.

23. Способ по п.22, отличающийся тем, что определение включает в себя воздействие на заготовку на основе фторидного кристалла источника синхротронного излучения.

24. Способ по п.22, отличающийся тем, что определение включает в себя обнаружение излучения, дифрагировавшего под влиянием заготовки на основе фторидного кристалла.