Способ селективного травления с использованием слоев остановки травления - RU2005129861A

Реферат

1. Недеактивируемый интерферометрический модулятор, содержащий жертвенный слой; металлический зеркальный слой поверх жертвенного слоя; и однородный слой между жертвенным слоем и металлическим зеркальным слоем.

2. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена.

3. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит слой остановки травления.

4. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.3, в котором слой остановки травления содержит материал, состоящий из, по меньшей мере, оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама.

5. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.3, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, материал, выбранный из германия и молибдена.

6. Недеактивируемый интерферометрический модулятор, по п.3, в котором жертвенный слой содержит аморфный материал и однородный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из титана и вольфрама.

7. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит слой диффузионного барьера, который замедляет диффузию металла из металлического зеркального слоя в жертвенный слой.

8. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.7, в котором слой диффузионного барьера содержит материал, выбранный из группы, состоящей из оксида кремния, нитрида кремния, титана и вольфрама.

9. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит буферный слой, который, по существу, предотвращает образование соответствующей кристаллографической ориентации металлического зеркального слоя под влиянием кристаллографической ориентации жертвенного слоя.

10. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.9, в котором буферный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния и нитрида кремния.

11. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит матричный слой, имеющий кристаллическую ориентацию, которая по существу аналогична кристаллографической ориентации металлического зеркального слоя.

12. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.11, в котором матричный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из титана и вольфрама.

13. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором металлический зеркальный слой содержит алюминий.

14. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.13, в котором металлический зеркальный слой содержит, по меньшей мере, один сплав алюминия, выбранный из Al-Si, Al-Cu, Al-Ti и Al-Nd.

15. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором однородный слой имеет толщину в пределах от 100 до 700 Е.

16. Способ изготовления интерферометрического модулятора, содержащий осаждение жертвенного слоя на первый зеркальный слой; осаждение слоя остановки травления на жертвенный слой; осаждение второго зеркального слоя на слой остановки травления; и удаление жертвенного слоя, чтобы открыть часть слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.

17. Способ по п.16, дополнительно содержащий селективное удаление части слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.

18. Способ по п.17, в котором селективное удаление части слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем, содержит травление части слоя остановки травления с использованием травителя, который удаляет часть слоя остановки травления со скоростью, которая, по меньшей мере, примерно в 10 раз превышает скорость удаления травителем второго зеркального слоя.

19. Способ по п.16, в котором удаление жертвенного слоя содержит травление жертвенного слоя с использованием травителя, которое удаляет жертвенный слой со скоростью, которая, по меньшей мере, примерно в 10 раз превышает скорость удаления травителем слоя остановки травления.

20. Способ по п.19, в котором травитель содержит XeF₂.

21. Способ по п.16, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена.

22. Способ по п.16, в котором слой остановки травления содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама.

23. Способ изготовления интерферометрического модулятора, содержащий осаждение жертвенного слоя на первый зеркальный слой; осаждение слоя остановки травления на жертвенный слой; осаждение второго зеркального слоя на слой остановки травления; и удаление части второго зеркального слоя, чтобы открыть часть слоя остановки травления, формируя таким образом открытую часть слоя остановки травления и неоткрытую часть слоя остановки травления, причем неоткрытая часть слоя остановки травления лежит под оставшейся частью второго зеркального слоя.

24. Способ по п.23, дополнительно содержащий удаление открытой части слоя остановки травления.

25. Способ по п.24, дополнительно содержащий селективное удаление жертвенного слоя, чтобы открыть часть слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.

26. Способ по п.25, дополнительно содержащий селективное удаление слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.

27. Интерферометрический модулятор, изготовленный способом по п.26.

28. Способ по п.23, в котором удаление части второго зеркального слоя, чтобы открыть слой остановки травления, содержит травление второго зеркального слоя с использованием травителя, который удаляет второй зеркальный слой со скоростью, которая, по меньшей мере, примерно в 10 раз превышает скорость удаления травителем слоя остановки травления.

29. Способ по п.28, в котором травитель содержит водосодержащую кислоту.

30. Способ по п.23, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена.

31. Способ по п.30, в котором слой остановки травления содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама.

32. Недеактивируемый интерферометрический модулятор, изготовленный способом по п.23.

33. Способ изготовления интерферометрического модулятора, содержащий осаждение жертвенного слоя на первый зеркальный слой, причем жертвенный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена; осаждение тонкого однородного слоя на жертвенный слой, причем тонкий однородный слой имеет толщину в пределах от 100 до 700 Е, при этом тонкий однородный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама; осаждение второго зеркального слоя на тонкий однородный слой, причем второй зеркальный слой содержит, по меньшей мере, один металл, выбранный из Al-Si, Al-Cu, Al-Ti и Al-Nd; удаление части второго зеркального слоя, чтобы открыть тонкий однородный слой, таким образом, формируя открытую часть тонкого однородного слоя и неоткрытую часть тонкого однородного слоя, причем неоткрытая часть тонкого однородного слоя лежит под оставшейся частью второго зеркального слоя; и удаление жертвенного слоя, чтобы открыть ранее неоткрытую часть тонкого однородного слоя, лежащего под оставшейся частью второго зеркального слоя.

34. Интерферометрический модулятор, сформированный по п.16.

35. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором указанный однородный слой содержит тонкий слой, относящийся к, по меньшей мере, одному из жертвенного слоя и металлического зеркального слоя.