Система и способ обеспечения восстановления защитного покрытия в устройстве мэмс - RU2005129962A

Реферат

1. Электронное устройство, содержащее прозрачную подложку; матрицу интерферометрического модулятора, размещенную на упомянутой прозрачной подложке, причем упомянутая матрица содержит пропускающий слой и отражающий слой; защитное покрытие, размещенное между по меньшей мере частью упомянутого пропускающего слоя и упомянутым отражающим слоем; и нагреватель, выполненный для увеличения температуры упомянутого защитного покрытия.

2. Устройство по п.1, в котором упомянутая прозрачная подложка герметизируется к задней пластине для формирования сборки, и в котором матрица интерферометрического модулятора располагается в упомянутой сборке.

3. Устройство по п.2, в котором упомянутое защитное покрытие содержит самовыравнивающийся монослой.

4. Устройство по п.3, в котором самовыравнивающийся монослой содержит одно из следующего: политетрафторэтилен (ПТФЭ) (PTFE), перфтордекановую карбоновую кислоту, октадецилтрихлорсилан (ОТС) (OTS) или дихлордиметилсилан.

5. Устройство по п.3, далее содержащее по меньшей мере одно отверстие в упомянутой сборке.

6. Устройство по п.1, далее содержащее резервуар материала защитного покрытия, который не находится на пропускающем слое или отражающем слое, причем упомянутый резервуар упомянутого материала защитного покрытия может служить в качестве источника для дополнительного защитного покрытия в сборке в течение процедуры восстановления.

7. Устройство по п.1, в котором упомянутое защитное покрытие обеспечивается на по меньшей мере части пропускающего слоя.

8. Устройство по п.1, в котором упомянутое защитное покрытие обеспечивается на по меньшей мере части отражающего слоя.

9. Устройство по п.2, в котором нагреватель содержится в сборке.

10. Устройство по п.9, в котором нагреватель включает металлический слой на поверхности в сборке.

11. Устройство по п.10, в котором металлический слой является частью схемы, которая предназначена для создания нагрева.

12. Устройство по п.10, в котором металл в металлическом слое содержит хром или никель.

13. Устройство по п.1, в котором упомянутый нагреватель включает петлевой проводник, включающий в себя пропускающий слой, и в котором петлевой проводник закорочен на нулевой потенциал.

14. Устройство по п.13, в котором петлевой проводник выполнен с возможностью закорачиваться на нулевой потенциал путем переключения.

15. Устройство по п.14, в котором используется микроэлектромеханическая система (МЭМС) (MEMS) для обеспечения возможности переключения петлевого проводника.

16. Устройство по п.1, в котором упомянутый нагреватель содержит петлевой проводник, включающий в себя механический слой, который связан с отражающим слоем, при этом петлевой проводник закорочен с нулевым потенциалом.

17. Устройство по п.2, в котором нагревательный элемент располагается на стойке в сборке.

18. Устройство по п.2, в котором нагреватель на стойке располагается над отражающим слоем и над подложкой.

19. Устройство по п.1, в котором нагреватель является шинной структурой, которая располагается на верху опоры и над отражающим слоем.

20. Способ восстановления монослоя в устройстве МЭМС, содержащий следующие шаги: обеспечение устройства МЭМС, содержащего матрицу интерферометрического модулятора и нагреватель, причем упомянутая матрица интерферометрического модулятора содержит монослой; и активация упомянутого нагревателя для того, чтобы увеличить температуру упомянутого монослоя, посредством чего упомянутый монослой восстанавливается.

21. Способ по п.20, в котором упомянутое устройство МЭМС содержит прозрачную подложку, которая герметизируется с задней пластиной для формирования сборки, и в котором упомянутая матрица интерферометрического модулятора располагается внутри упомянутой сборки.

22. Способ по п.20, в котором упомянутый монослой содержит самовыравнивающийся монослой.

23. Способ по п.22, в котором упомянутый самовыравнивающийся монослой содержит одно из следующего: политетрафторэтилен (ПТФЭ) (PTFE), перфтордекановую карбоновую кислоту, октадецилтрихлорсилан (ОТС) (OTS) или дихлордиметилсилан.

24. Способ по п.20, в котором упомянутая матрица интерферометрического модулятора содержит резервуар материала защитного покрытия, и в котором упомянутый резервуар упомянутого материала защитного покрытия может служить в качестве источника для дополнительного защитного покрытия в сборке в течение процедуры восстановления.

25. Электронное устройство, содержащее средство для поддержки устройства МЭМС, при этом упомянутое устройство МЭМС содержит пропускающий слой и отражающий слой; средство для обеспечения защитного покрытия, осажденного между по крайней мере частью упомянутого пропускающего слоя и упомянутым отражающим слоем; и средство для восстановления упомянутого защитного покрытия.

26. Электронное устройство по п.25, в котором упомянутое поддерживающее средство содержит прозрачную подложку.

27. Устройство по п.25, в котором упомянутое обеспечивающее средство содержит самовыравнивающийся монослой.

28. Устройство по п.27, в котором самовыравнивающийся монослой содержит одно из следующего: политетрафторэтилен (ПТФЭ) (PTFE), перфтордекановую карбоновую кислоту, октадецилтрихлорсилан (ОТС) (OTS) или дихлордиметилсилан.

29. Электронное устройство по п.25, в котором упомянутое восстанавливающее средство содержит нагревающее устройство.

30. Электронное устройство по п.25, далее содержащее процессор, который находится в электрической связи с упомянутым устройством МЭМС, причем упомянутый процессор выполнен для обработки данных изображения; и устройство памяти в электрической связи с упомянутым процессором.

31. Электронное устройство по п.25, далее содержащее управляющую схему, выполненную для передачи по меньшей мере одного сигнала к упомянутому дисплею.

32. Электронное устройство по п.31, далее содержащее контроллер, выполненный для передачи по меньшей мере части упомянутых данных изображения к упомянутой управляющей схеме.

33. Электронное устройство по п.25, далее содержащее модуль исходного изображения, выполненный для передачи упомянутых данных изображения к упомянутому процессору.

34. Электронное устройство по п.33, в котором упомянутый модуль исходного изображения содержит по меньшей мере один приемник, приемопередатчик и передатчик.

35. Электронное устройство по п.25, далее содержащее входное устройство, сконфигурированное для приема входных данных и для передачи упомянутых входных данных к упомянутому процессору.

36. Способ создания электронного устройства, содержащий следующие шаги: обеспечение прозрачной подложки; формирование устройства МЭМС на упомянутой прозрачной подложке, причем упомянутая матрица содержит пропускающий слой и отражающий слой; и обеспечение восстанавливаемого защитного покрытия между по меньшей мере частью упомянутого пропускающего слоя и упомянутым отражающим слоем.

37. Способ по п.36, в котором упомянутая прозрачная подложка содержит стекло.

38. Способ по п.36, в котором упомянутое устройство МЭМС является интерферометрическим модулятором.

39. Способ по п.36, в котором упомянутое восстанавливаемое защитное покрытие содержит самовыравнивающийся монослой.

40. Способ по п.22, в котором упомянутое восстанавливаемое защитное покрытие содержит одно из следующего: политетрафторэтилен (ПТФЭ) (PTFE), перфтордекановую карбоновую кислоту, октадецилтрихлорсилан (ОТС) (OTS) или дихлордиметилсилан.

41. Способ по п.36, в котором упомянутое защитное покрытие восстанавливается в ответ на увеличение температуры.

42. Способ по п.36, в котором упомянутое защитное покрытие обеспечивается на упомянутом пропускающем слое.

43. Способ по п.36, в котором упомянутое защитное покрытие обеспечивается на упомянутом отражающем слое.

44. Устройство МЭМС, изготавливаемое по способу п.36.

45. Устройство по п.44, в котором упомянутое устройство МЭМС содержит прозрачную подложку, которая герметизируется с задней пластиной для формирования сборки, и в котором упомянутое устройство МЭМС располагается в упомянутой сборке.

46. Устройство по п.44, в котором упомянутое защитное покрытие содержит самовыравнивающийся монослой.

47. Устройство по п.46, в котором упомянутый самовыравнивающийся монослой содержит одно из следующего: политетрафторэтилен (ПТФЭ) (PTFE), перфтордекановую карбоновую кислоту, октадецилтрихлорсилан (ОТС) (OTS) или дихлордиметилсилан.