Способ производства интерферометрических модуляторов при помощи селективного удаления материала - RU2005129651A

Реферат

1. Способ изготовления устройства MEMS содержит этапы, на которых осаждают материал поверх первого электродного слоя; формируют второй электродный слой поверх материала и селективно удаляют жертвенную часть материала для формирования, таким образом, полости и поддерживающей структуры устройства MEMS, причем поддерживающая структура содержит оставшуюся часть материала, при этом второй электродный слой содержит подвижный слой, поддерживаемый поддерживающей структурой.

2. Способ по п.1, в котором устройство MEMS содержит интерферометрический модулятор.

3. Способ по п.2, в котором, по меньшей мере, один из первого электродного слоя или второго электродного слоя содержит зеркало.

4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором селективно изменяют часть материала для определения жертвенной части материала и оставшейся части материала.

5. Способ по п.4, в котором материал представляет собой светочувствительный полимер.

6. Способ по п.5, в котором этап селективного изменения части материала содержит облучение части светочувствительного полимера для формирования таким образом облученной части светочувствительного полимера и необлученной части светочувствительного полимера.

7. Способ по п.6, в котором этап селективного удаления жертвенной части материала содержит удаление облученной части светочувствительного полимера.

8. Способ по п.6, в котором этап селективного удаления жертвенной части жертвенного материала содержит удаление необлученной части светочувствительного полимера.

9. Способ по п.6, в котором этап формирования второго электродного слоя выполняют после этапа облучения части светочувствительного полимера для формирования таким образом облученной части светочувствительного полимера и необлученной части светочувствительного полимера.

10. Способ по п.4, в котором материал содержит кремний.

11. Способ по п.10, в котором этап селективного изменения части материала содержит имплантацию атомов кислорода в часть кремния для формирования оксида кремния.

12. Способ по п.11, в котором поддерживающая структура содержит оксид кремния.

13. Способ по п.4, в котором этап селективного изменения содержит легирование части материала.

14. Способ по п.1, в котором второй электродный слой непосредственно поддерживается поддерживающей структурой.

15. Способ по п.1, в котором поддерживающая структура содержит опору.

16. Подложка MEMS, изготовленная способом по п.1.

17. Устройство MEMS, содержащее жертвенную часть материала, причем жертвенную часть материала удаляют для формирования полости; и оставшуюся часть материала, причем оставшаяся часть материала формирует опорную структуру интерферометрического модулятора при удалении жертвенной части.

18. Устройство MEMS по п.17, в котором жертвенная часть материала композиционно отличается от оставшейся части материала.

19. Устройство MEMS по п.18, в котором материал содержит полимер.

20. Устройство MEMS по п.19, в котором жертвенная часть полимера имеет такую степень сшивки, которая отличается от оставшейся части полимера.

21. Устройство MEMS по п.18, в котором материал содержит кремний.

22. Устройство MEMS по п.21, в котором оставшаяся часть кремния дополнительно содержит кислород.

23. Устройство MEMS по п.17, в котором материал представляет собой фоторезист.

24. Устройство MEMS по п.23, в котором жертвенная часть фоторезиста имеет большую растворимость, чем оставшаяся часть фоторезиста.

25. Устройство MEMS по п.17, дополнительно содержащее первый зеркальный слой и второй зеркальный слой, причем, по меньшей мере, часть материала расположена между первым зеркальным слоем и вторым зеркальным слоем.

26. Устройство MEMS по п.25, дополнительно содержащее механический слой, прикрепленный ко второму зеркальному слою.

27. Устройство MEMS по п.26, в котором вторая часть материала расположена между вторым зеркальным слоем и механическим слоем.

28. Способ изготовления интерферометрического модулятора, причем интерферометрический модулятор содержит, по меньшей мере, первое зеркало, второе зеркало, отделенное от первого зеркала полостью, и опорную структуру, расположенную у стороны полости и выполненную с возможностью поддержки второго зеркала, расположенного на расстоянии от первого зеркала, при этом способ содержит этапы, на которых обеспечивают подложку, причем подложка имеет первую область, выполненную таким образом, что она лежит под первым зеркалом, и вторую область, выполненную таким образом, что она лежит под опорной структурой; осаждают первый зеркальный слой поверх, по меньшей мере, первой области; осаждают материал поверх первой области и поверх второй области; селективно изменяют, по меньшей мере, либо материал поверх первой области, либо материал поверх второй области и осаждают второй зеркальный слой поверх, по меньшей мере, материала, расположенного поверх первой области; причем материал, расположенный поверх первой области, удаляют для формирования таким образом полости и опорной структуры, при этом опорная структура содержит материал, расположенный поверх второй области.

29. Способ по п.28, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют, по меньшей мере, часть материала поверх первой области для формирования таким образом полости.

30. Способ по п.29, в котором материал, расположенный поверх второй области, остается после удаления, по меньшей мере, части материала, расположенного поверх первой области.

31. Способ по п.29, дополнительно содержащий этап, на котором формируют переходное отверстие для обеспечения протекания травителя к материалу, расположенному поверх первой области.

32. Способ по п.28, в котором материал представляет собой светочувствительный полимер.

33. Способ по п.32, дополнительно содержащий этап, на котором облучают материал, расположенный поверх первой области.

34. Способ по п.33, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют, по меньшей мере, часть материала, расположенного поверх первой области, для формирования таким образом полости.

35. Способ по п.32, дополнительно содержащий этап, на котором облучают материал, расположенный поверх второй области.

36. Способ по п.35, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют, по меньшей мере, часть материала, расположенного поверх первой области, для формирования таким образом полости.

37. Устройство MEMS, содержащее средство для селективного удаления жертвенной части материала относительно оставшейся части материала и средство для поддержания, по меньшей мере, части интерферометрического модулятора, причем поддерживающее средство формируют при удалении жертвенной части.

38. Устройство MEMS по п.37, в котором оставшаяся часть содержит часть материала, который селективно изменяют для определения жертвенной части материала и оставшейся части материала.

39. Устройство MEMS по п.37, в котором поддерживающее средство содержит опорную структуру.

40. Интерферометрический модулятор, изготовленный способом по п.28.

41. Устройство отображения, содержащее Интерферометрический модулятор по п.40.

42. Устройство отображения по п.41, дополнительно содержащее дисплей; процессор, электрически соединенный с дисплеем, причем процессор выполнен с возможностью обработки данных изображения; устройство памяти, электрически соединенное с процессором.

43. Устройство отображения по п.42, дополнительно содержащее схему возбуждения, выполненную с возможностью передачи, по меньшей мере, одного сигнала в дисплей.

44. Устройство отображения по п.43, дополнительно содержащее контроллер, выполненный с возможностью передачи, по меньшей мере, части данных изображения в управляющую схему.

45. Устройство отображения по п.42, дополнительно содержащее модуль источника изображения, выполненный с возможностью передачи данных изображения в процессор.

46. Устройство отображения по п.45, в котором модуль источника изображения содержит, по меньшей мере, одно из приемника, приемопередатчика и передатчика.

47. Устройство отображения по п.42, дополнительно содержащее устройство ввода, выполненное с возможностью приема входных данных и передачи указанных входных данных в процессор.