Способ производства интерферометрических модуляторов при помощи селективного удаления материала - RU2005129652A

Реферат

1. Способ изготовления устройства MEMS, содержащий этапы, на которых осаждают материал поверх первого электродного слоя; осаждают второй слой поверх материала, причем второй слой содержит отверстие, сформированное в нем, при этом отверстие выполнено таким образом, что оно обнажает материал; осуществляют протекание травителя через указанное отверстие и выполняют травление материала для удаления жертвенной части материала для формирования таким образом полости и поддерживающей структуры устройства MEMS, причем поддерживающая структура содержит оставшуюся часть материала, при этом травление является селективным в отношении жертвенной части и оставшейся части материала.

2. Способ по п.1, в котором устройство MEMS содержит интерферометрический модулятор.

3. Способ по п.1, в котором материал выбирают из молибдена и кремния.

4. Способ по п.1, в котором травление материала является селективным в отношении второго слоя.

5. Способ по п.1, в котором травление содержит латеральное углубление в материал в сторону от отверстия.

6. Способ по п.1, в котором травление представляет собой изотропное травление.

7. Способ по п.1, в котором травитель содержит XeF₂.

8. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором выполняют травление второго слоя для формирования отверстия.

9. Способ по п.1, в котором первый электродный слой содержит первое зеркало.

10. Способ по п.9, в котором второй слой содержит второй электрод.

11. Способ по п.10, в котором второй слой дополнительно содержит второе зеркало.

12. Способ по п.1, в котором второй слой содержит механический слой.

13. Способ по п.12, дополнительно содержащий этап, на котором осаждают зеркальный слой, по меньшей мере, часть которого подвешена относительно механического слоя после травления, удаляющего жертвенную часть материала.

14. Способ по п.13, в котором травление, удаляющее жертвенную часть, является селективным в отношении зеркального слоя.

15. Способ по п.13, в котором опорная структура имеет профиль входящего угла.

16. Способ по п.1, в котором травление содержит травление с заданными временными параметрами.

17. Способ по п.1, в котором поддерживающая структура содержит опору.

18. Устройство MEMS, изготовленное по п.1.

19. Подложка неосвобожденного MEMS, содержащая нижележащий материал и вышележащий слой; причем вышележащий слой выполнен с возможностью удаления жертвенной части нижележащего материала для формирования полости; и вышележащий материал дополнительно выполнен с возможностью формирования оставшейся частью нижележащего материала опорных структур интерферометрического модулятора при удалении жертвенной части, причем оставшаяся часть и жертвенная часть имеют, по существу, одинаковые свойства.

20. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой материал содержит молибден или кремний.

21. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой вышележащий слой содержит апертуру, выполненную с возможностью обнажения нижележащего слоя.

22. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой вышележащий слой содержит множество апертур, сконфигурированных в виде матрицы.

23. Подложка неосвобожденного MEMS по п.22, в которой апертура содержит одно из следующего: переходные отверстия, канавки или каналы.

24. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой нижележащий материал лежит поверх подложки, причем подложка содержит апертуру, выполненную с возможностью обнажения нижележащего материала.

25. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой вышележащий слой содержит зеркальный слой.

26. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой вышележащий слой содержит электрод.

27. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой вышележащий слой содержит механический слой.

28. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, дополнительно содержащая первый зеркальный слой и второй зеркальный слой, причем, по меньшей мере, часть материала расположенна между первым зеркальным слоем и вторым зеркальным слоем.

29. Подложка неосвобожденного MEMS по п.28, в которой вышележащий слой содержит второй зеркальный слой.

30. Подложка неосвобожденного MEMS по п.28, в которой, по меньшей мере, часть второго зеркального слоя подвешена относительно вышележащего слоя при удалении жертвенной части.

31. Подложка неосвобожденного MEMS по п.19, в которой опорная структура имеет профиль входящего угла.

32. Способ изготовления интерферометрического модулятора, причем интерферометрический модулятор содержит, по меньшей мере, первое зеркало, второе зеркало, отделенное от первого зеркала полостью, и поддерживающую структуру, расположенную у стороны полости и выполненную с возможностью поддержки второго зеркала, расположенного на расстоянии от первого зеркала, при этом способ содержит этапы, на которых обеспечивают подложку, причем подложка имеет первую область, выполненную таким образом, что она лежит под первым зеркалом, и вторую область, выполненную таким образом, что она лежит под поддерживающей структурой; осаждают первый зеркальный слой поверх, по меньшей мере, первой области; осаждают материал поверх первой области и поверх второй области; осаждают второй зеркальный слой поверх, по меньшей мере, материала, находящегося поверх первой области; и формируют множество отверстий, выполненных с возможностью обеспечения протекания травителя к материалу, расположенному поверх первой области; причем материал, расположенный поверх первой области, удаляют травлением, формируя таким образом полость и поддерживающую структуру, при этом поддерживающая структура содержит материал, расположенный поверх второй области, при этом жертвенная часть и оставшаяся часть изготовлены из материала, имеющего, по существу, одинаковые свойства.

33. Способ по п.32, в котором материал выбирают из молибдена и кремния.

34. Способ по п.33, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют, по меньшей мере, часть материала, расположенного поверх первой области, формируя таким образом полость.

35. Способ по п.34, в котором удаление, по меньшей мере, части материала, расположенного поверх первой области, для формирования таким образом полости, содержит травление с заданными временными параметрами.

36. Способ по п.34, в котором удаление, по меньшей мере, части материала, расположенного поверх первой области, для формирования таким образом полости, содержит латеральное углубление в материал в сторону от множества отверстий.

37. Способ по п.35, в котором травитель содержит XeF₂.

38. Способ по п.32, в котором множество отверстий сформировано через второй зеркальный слой.

39. Способ по п.32, дополнительно содержащий этап, на котором формируют механический слой поверх, по меньшей мере, материала, расположенного поверх первой области.

40. Способ по п.32, в котором множество отверстий содержит переходное отверстие.

41. Способ по п.32, в котором множество отверстий содержит множество пересекающихся каналов.

42. Интерферометрический модулятор, содержащий опорную структуру, причем опорная структура имеет профиль входящего угла.

43. Интерферометрический модулятор по п.42, в котором опорная структура имеет, по существу, вогнутое поперечное сечение.

44. Интерферометрический модулятор по п.42, в котором опорная структура имеет, по существу, выгнутое поперечное сечение.

45. Устройство MEMS, содержащее средство для селективного удаления жертвенной части материала относительно оставшейся части материала и средство для поддержания, по меньшей мере, части интерферометрического модулятора, причем поддерживающее средство формируется при удалении жертвенной части, при этом оставшаяся часть и жертвенная часть изготовлены из материала, имеющего, по существу, одинаковые свойства.

46. Устройство MEMS по п.45, в котором средство удаления содержит апертуру, выполненную с возможностью открытия материала воздействию травителя.

47. Устройство MEMS по п.45, в котором поддерживающее средство содержит опорную структуру.

48. Интерферометрический модулятор, изготовленный способом по п.32.

49. Система, содержащая Интерферометрический модулятор по п.48.

50. Система по п.49, дополнительно содержащая дисплей; процессор, электрически соединенный с дисплеем, причем процессор выполнен с возможностью обработки данных изображения; устройство памяти, электрически соединенное с процессором.

51. Система по п.50, дополнительно содержащая схему возбуждения, выполненную с возможностью передачи, по меньшей мере, одного сигнала в дисплей.

52. Система по п.51, дополнительно содержащая контроллер, выполненный с возможностью передачи, по меньшей мере, части данных изображения в управляющую схему.

53. Система по п.50, дополнительно содержащая модуль источника изображения, выполненный с возможностью передачи данных изображения в процессор.

54. Система по п.53, в которой модуль источника изображения содержит, по меньшей мере, одно из приемника, приемопередатчика и передатчика.

55. Система по п.50, дополнительно содержащая устройство ввода, выполненное с возможностью приема входных данных и передачи указанных входных данных в процессор.