Состав сцинтиллятора , устройство для обнаружения излучения и соответствующий способ - RU2017132999A
Код документа: RU2017132999A
Формула
1. Состав сцинтиллятора формулы AD(ВО3)Х2:Е,
где
А представляет собой Ва, Са, Sr, La или их сочетание,
D представляет собой Al, Si, Ga, Mg или их сочетание,
X представляет собой F, Cl или их сочетание, и
Е представляет собой Се или сочетание Се и Li.
2. Состав сцинтиллятора по п. 1, в котором количество церия составляет от примерно 0,5 мольн. % до примерно 10 мольн. %.
3. Состав сцинтиллятора по п. 2, в котором количество церия составляет от примерно 1 мольн. % до примерно 5 мольн. %.
4. Состав сцинтиллятора по п. 1 формулы (Ва,Са) (Al,Ga) (ВО3)F2: (Се, Li).
5. Состав сцинтиллятора по п. 1 формулы Ва Ga (ВО3)F2: (Се, Li).
6. Состав сцинтиллятора по п. 1 формулы LaMg(BO3)F2: Се.
7. Состав сцинтиллятора по п. 1, где длина волны излучения состава больше примерно 200 нм.
8. Состав сцинтиллятора по п. 1, где максимум излучения состава составляет от примерно 320 нм до примерно 460 нм.
9. Состав сцинтиллятора по п. 1, содержащий Се3+.
10. Состав сцинтиллятора по п. 1 в форме монокристалла.
11. Устройство для обнаружения высокоэнергетического излучения в жестких условиях окружающей среды, содержащее:
монокристалл-сцинтиллятор формулы AD(BO3)Х2:Е, имеющий длину волны излучения более примерно 200 нм, где
А представляет собой Ва, Са, Sr, La или их сочетание,
D представляет собой Al, Si, Ga, Mg или их сочетание,
X представляет собой F, Cl или их сочетание, и
Е представляет собой Се или сочетание Се и Li.
12. Устройство по п. 11, в котором количество церия, присутствующего в монокристалле-сцинтилляторе, составляет от примерно 0,5 ат. % до примерно 10 ат. %.
13. Устройство по п. 11, в котором эффективность эмиссии монокристалла при температуре более 150°С составляет более примерно 60% от эффективности эмиссии монокристалла при комнатной температуре.
14. Устройство по п. 11, в котором монокристалл-сцинтиллятор содержит (Ва,Са) (Al,Ga) (BO3)F2: (Се, Li).
15. Способ обнаружения высокоэнергетического излучения с помощью сцинтилляционного детектора, включающий:
прием излучения монокристаллом-сцинтиллятором и образование фотонов, которые являются характеристическими для излучения, и
обнаружение фотонов фотодетектором, соединенным с монокристаллом-сцинтиллятором,
где монокристалл-сцинтиллятор имеет формулу AD(ВО3)Х2:Е,
где А представляет собой Ва, Са, Sr, La или их сочетание,
D представляет собой Al, Si, Ga, Mg или их сочетание,
X представляет собой F, Cl или их сочетание, и
Е представляет собой Се или сочетание Се и Li.
16. Способ по п. 15, в котором монокристалл-сцинтиллятор подвергают воздействию высокоэнергетического излучения при температуре более примерно 150°С.
17. Способ по п. 15, в котором монокристалл-сцинтиллятор вырабатывает фотоны с длиной волны излучения более примерно 200 нм.
18. Способ по п. 15, в котором монокристалл-сцинтиллятор подвергают воздействию высокоэнергетического излучения при уровне ударного воздействия примерно в 20 раз большем ускорения свободного падения.
19. Способ по п. 15, в котором высокоэнергетическое излучение является гамма излучением.
