Формула
1. Смешаннооксидный материал, имеющий формулу (YwTbx)3Al5-yGayO12:Cez, в которой 0,01 ≤ w ≤ 0,99, 0,01 ≤ x ≤ 0,99, 0 ≤ y ≤ 3,5 и 0,001 ≤ z ≤ 0,10 и в которой w + x + 3×z = 1, причем смешаннооксидный материал легирован по меньшей мере 10 млн-1 V.
2. Смешаннооксидный материал по п.1, причем материал легирован от 10 до 250 млн-1 V.
3. Смешаннооксидный материал по п.1, причем 0,1 ≤ w ≤ 0,9.
4. Смешаннооксидный материал по п.1, причем 0,1 ≤ x ≤ 0,9.
5. Смешаннооксидный материал по п.1, причем 1 ≤ y ≤ 3,5.
6. Смешаннооксидный материал по п.1, причем 0,005 ≤ z ≤ 0,05.
7. Смешаннооксидный материал по п.1, причем материал представляет собой монокристаллический или поликристаллический материал.
8. Способ получения смешаннооксидного материала по п.1, содержащий следующие этапы:
а) обеспечение Y2O3, CeO2, Tb4O7, Al2O3 и Ga2O3 в пропорциях, пригодных для получения требуемого смешанного оксида,
b) пропитывание одного или нескольких из твердых веществ по этапу а) источником V в требуемом количестве,
с) объединение и измельчение твердых веществ по этапу а) и этапу b) в присутствии подходящего диспергатора с получением суспензии,
d) высушивание суспензии по этапу с) с получением смешанного порошка, и
е) спекание смешанного порошка по этапу d) при температуре по меньшей мере 1400°С в течение по меньшей мере 1 ч.
9. Способ по п.8, причем на этапе с) при объединении твердых веществ по этапу а) и этапу b) добавляют флюс.
10. Сцинтиллятор, содержащий смешаннооксидный материал по п.1.
11. Детектор ионизирующего излучения, содержащий смешаннооксидный материал по п.1 или сцинтиллятор (32; 42; 62) по п.10 в комбинации с по меньшей мере одним фотодетектором (34; 44; 64).
12. Детектор по п.11, дополнительно содержащий второй смешаннооксидный материал или сцинтиллятор, причем второй смешаннооксидный материал или второй сцинтиллятор имеет более высокую плотность, чем смешаннооксидный материал по п.1 или сцинтиллятор по п.10.
13. КТ-сканер, содержащий по меньшей мере один детектор (18; 30; 40; 60) по п.11.