Определение направления прихода электромагнитной волны - RU2018124472A
Код документа: RU2018124472A
Формула
1. Система (100) для определения направления прихода, содержащая:
детектор (102) волнового сигнала, содержащий:
первую пару диэлектрических структур (108),
вторую пару диэлектрических структур (110); и
электрическую схему (152) обработки, выполненную с возможностью определения направления прихода электромагнитной волны (104), падающей на детектор волнового сигнала,
причем определение направления прихода основано на возникающих при воздействии электромагнитной волны относительных уровнях мощности в первой паре диэлектрических структур и на возникающих при воздействии электромагнитной волны относительных уровнях мощности во второй паре диэлектрических структур.
2. Система по п. 1, также содержащая электрическую схему (120) регистрации, связанную с электрической схемой обработки, выполненную с возможностью
выработки одного или более первых сигналов (142, 144), указывающих на возникающие при воздействии электромагнитной волны относительные уровни мощности в первой паре диэлектрических структур, и
выработки одного или более вторых сигналов (146, 148) указывающих на возникающие при воздействии электромагнитной волны относительные уровни мощности во второй паре диэлектрических структур, причем
электрическая схема обработки определяет направление прихода электромагнитной волны на основании указанных одного или более первых сигналов и указанных одного или более вторых сигналов.
3. Система по п. 2, в которой электрическая схема регистрации содержит:
первый датчик (132), выполненный с возможностью выработки первого сигнала (142), указывающего на первый уровень мощности, возникающий при воздействии электромагнитной волны в первой диэлектрической структуре первой пары диэлектрических структур;
второй датчик (134), выполненный с возможностью выработки второго сигнала (144), указывающего на второй уровень мощности, возникающий при воздействии электромагнитной волны во второй диэлектрической структуре первой пары диэлектрических структур;
третий датчик (136), выполненный с возможностью выработки третьего сигнала (146), указывающего на третий уровень мощности, возникающий при воздействии электромагнитной волны в третьей диэлектрической структуре второй пары диэлектрических структур; и
четвертый датчик (138), выполненный с возможностью выработки четвертого сигнала (148), указывающего на четвертый уровень мощности, возникающий при воздействии электромагнитной волны в четвертой диэлектрической структуре второй пары диэлектрических структур,
причем
относительные уровни мощности в первой паре диэлектрических структур соответствуют отношению, основанному на первом сигнале и втором сигнале, а
относительные уровни мощности во второй паре диэлектрических структур соответствуют отношению, основанному на третьем сигнале и четвертом сигнале.
4. Система по п. 2, также содержащая запоминающее устройство (154), доступное для электрической схемы обработки, причем
запоминающее устройство хранит первые данные (156) отображения, которые отображают значения указанных одного или более первых сигналов на первые углы прихода, и хранит вторые данные отображения, которые отображают значения указанных одного или более вторых сигналов на вторые углы прихода, а
электрическая схема обработки определяет направление прихода (158) на основании первых данных отображения и вторых данных отображения.
5. Система по п. 1, в которой детектор волнового сигнала также содержит диэлектрическую подложку (106), причем
первая пара диэлектрических структур и вторая пара диэлектрических структур выполнены по меньшей мере частично внедренными в диэлектрическую подложку.
6. Система по п. 5, в которой для каждой диэлектрической структуры первой пары диэлектрических структур и второй пары диэлектрических структур выполнено одно из следующего:
она имеет относительную диэлектрическую проницаемость, превышающую относительную диэлектрическую проницаемость диэлектрической подложки;
она имеет показатель преломления, превышающий показатель преломления диэлектрической подложки; и
она содержит часть, выходящую за пределы диэлектрической подложки.
7. Система по п. 1, в которой диэлектрические структуры по меньшей мере одной из первой пары диэлектрических структур или второй пары диэлектрических структур содержат титанат стронция (SrTiO3).
8. Система по п. 1, в которой
- первая пара диэлектрических структур содержит:
первую диэлектрическую структуру (112) и
вторую диэлектрическую структуру (114), которая по существу согласована по фазе с первой диэлектрической структурой, а
- вторая пара диэлектрических структур, содержит:
третью диэлектрическую структуру (116) и
четвертую диэлектрическую структуру (118), которая по существу согласована по фазе с третьей диэлектрической структурой.
9. Система по п. 1, в которой
- первая пара диэлектрических структур содержит:
первую диэлектрическую структуру (112) с первым размером и первой формой и
вторую диэлектрическую структуру (114) со вторым размером и второй формой, причем
первый размер по существу равен второму размеру, а
первая форма геометрически подобна второй форме, а
- вторая пара диэлектрических структур содержит:
третью диэлектрическую структуру (116) с третьим размером и третьей формой и
четвертую диэлектрическую структуру (118) с четвертым размером и четвертой формой, причем
третий размер по существу равен четвертому размеру, и
третья форма геометрически подобна четвертой форме.
10. Система по п. 1, в которой
- первая пара диэлектрических структур содержит:
первую диэлектрическую структуру (112) и
вторую диэлектрическую структуру (114), расположенную в пределах порогового расстояния от первой диэлектрической структуры, причем
пороговое расстояние соответствует расстоянию взаимосвязи для электромагнитной волны; а
- вторая пара диэлектрических структур содержит:
третью диэлектрическую структуру (116) и
четвертую диэлектрическую структуру (118), расположенную в пределах порогового расстояния от третьей диэлектрической структуры.
11. Система по п. 1, в которой
- первая пара диэлектрических структур содержит
первую диэлектрическую структуру (112) и вторую диэлектрическую структуру (114), причем
первая диэлектрическая структура выровнена со второй диэлектрической структурой вдоль первой оси (210); а
- вторая пара диэлектрических структур содержит
третью диэлектрическую структуру и четвертую диэлектрическую структуру, причем
третья диэлектрическая структура выровнена с четвертой диэлектрической структурой вдоль второй оси (212), которая не параллельна первой оси.
12. Система по п. 1, также содержащая второй детектор волнового сигнала, содержащий:
третью пару диэлектрических структур (422, 426) и
четвертую пару диэлектрических структур (424, 428), причем
электрическая схема обработки выполнена с возможностью определения второго направления прихода второй электромагнитной волны (164), падающей на второй детектор волнового сигнала (162), при этом
направление прихода электромагнитной волны находится в первом диапазоне полярных показателей и в первом диапазоне (170) азимутальных углов, а
второе направление прихода второй электромагнитной волны находится во втором диапазоне полярных показателей и во втором диапазоне (172) азимутальных углов, причем
первый диапазон полярных показателей отличен от второго диапазона полярных показателей, и первый диапазон азимутальных углов отличен от второго диапазона азимутальных углов;
причем:
первая пара диэлектрических структур содержит первую диэлектрическую структуру (412) с первой основной осью и вторую диэлектрическую структуру (414) со второй основной осью;
вторая пара диэлектрических структур содержит третью диэлектрическую структуру (416) с третьей основной осью и четвертую диэлектрическую структуру (418) с четвертой основной осью, причем
первая основная ось по существу параллельна второй основной оси, третьей основной оси и четвертой основной оси;
третья пара диэлектрических структур содержит пятую диэлектрическую структуру (532) с пятой основной осью и шестую диэлектрическую структуру (534) с шестой основной осью; и
четвертая пара диэлектрических структур содержит седьмую диэлектрическую структуру (536) с седьмой основной осью и восьмую диэлектрическую структуру (538) с восьмой основной осью, причем
пятая основная ось по существу параллельна шестой основной оси, седьмой основной оси и восьмой основной оси, а
пятая основная ось не параллельна первой основной оси.
13. Способ (800) определения направления прихода, включающий:
прием (802), в процессоре (150) от системы датчиков, одного или более первых сигналов (142, 144), указывающих на относительные уровни мощности, возникающие при воздействии электромагнитной волны (104) в первой паре диэлектрических структур (108) детектора (102) волнового сигнала;
прием (804), в процессоре от системы датчиков, одного или более вторых сигналов (146, 148), указывающих на относительные уровни мощности, возникающие при воздействии электромагнитной волны во второй паре диэлектрических структур (110) детектора волнового сигнала; и
определение (806) посредством процессора направления прихода электромагнитной волны на основании относительных уровней мощности в первой паре диэлектрических структур и относительных уровней мощности во второй паре диэлектрических структур.
14. Способ по п. 13, согласно которому определение направления прихода электромагнитной волны включает:
определение (808) на основании относительных уровней мощности в первой паре диэлектрических структур первой совокупности потенциальных направлений прихода;
определение (812) на основании относительных уровней мощности во второй паре диэлектрических структур второй совокупности потенциальных направлений прихода; и
выбор (816) направления прихода на основании пересечения первой совокупности потенциальных направлений прихода и второй совокупности потенциальных направлений прихода.
15. Способ по п. 14, согласно которому определение первой совокупности потенциальных направлений прихода включает извлечение (810) из первых данных отображения первой совокупности потенциальных направлений прихода, причем
первые данные отображения отображают значение относительных уровней мощности в первой паре диэлектрических структур на первую совокупность потенциальных направлений прихода; и
определение второй совокупности потенциальных направлений прихода включает извлечение (814) из вторых данных отображения второй совокупности потенциальных направлений прихода, причем
вторые данные отображения отображают значение относительных уровней мощности во второй паре диэлектрических структур на вторую совокупность потенциальных направлений прихода.
