Контролируемое легирование синтетического алмазного материала - RU2013132697A

Реферат

1. Способ производства синтетического CVD алмазного материала, содержащий:предоставление микроволнового плазменного реактора, содержащего:плазменную камеру;одну или более подложек, расположенных в плазменной камере, предоставляющих область поверхности роста, поверх которой синтетический CVD алмазный материал осаждается при использовании;конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволнового излучения от микроволнового генератора в плазменную камеру; исистему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда,инжекцию технологических газов в плазменную камеру;подачу микроволнового излучения от микроволнового генератора в плазменную камеру через конфигурацию микроволновой связи, чтобы сформировать плазму выше области поверхности роста или ниже области поверхности роста, если микроволновый плазменный реактор находится в инвертированной конфигурации с технологическими газами, протекающими в восходящем направлении; ивыращивание синтетического CVD алмазного материала поверх области поверхности роста,причем технологические газы содержат, по меньшей мере, одну легирующую примесь в газообразной форме, выбранную из одного или более из бора, кремния, серы, фосфора, лития и бериллия, одна или каждая легирующая примесь присутствует при концентрации, равной или большей, чем 0,01 ч./млн, и/или азот при концентрации, равной или большей, чем 0,3 ч./млн,причем система газового потока включает в себя газовый впуск, содержащий один или более газовых впускных патрубков, расположенных противоположно области поверхности роста и сконфигурированных для инжекции технологически�