Формула
1. Способ осаждения материалов, включающий в себя:
установку одной или более полупроводниковых пластин на поворотный стол;
непрерывное вращение поворотного стола под одной или более мишенями-источниками;
подачу технологического газа;
запитывание упомянутой одной или более мишеней-источников;
подачу смещения на одну или более полупроводниковые пластины с помощью ВЧ-смещения и
осаждение оптической диэлектрической пленки на упомянутую одну или более полупроводниковые пластины.
2. Способ по п. 1, в котором оптическая диэлектрическая пленка представляет собой однородный сплав из двух или более мишеней-источников.
3. Способ по п. 1, в котором состав оптической диэлектрической пленки изменяется по толщине пленки.
4. Способ по п. 1, в котором оптическая диэлектрическая пленка является однородной по упомянутой одной или более полупроводниковым пластинам.
5. Способ по п. 4, в котором показатель изменяется с толщиной в соответствии с предварительно заданным профилем показателя преломления.
6. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя обеспечение теневой маски над одной или более полупроводниковыми пластинами на поворотном столе.
7. Способ по п. 6, в котором теневую маску поступательно перемещают поперечно по одной или более полупроводниковым пластинам во время осаждения.
8. Способ по п. 7, в котором осаждаемая пленка изменяет состав по мере поступательного перемещения маски поперечно.
9. Способ по п. 8, в котором осаждаемая пленка может иметь поперечное варьирование показателя преломления.
10. Способ по п. 9, в котором осаждаемая пленка имеет варьирование показателя преломления по своей толщине.
11. Тактовый привод, содержащий:
зубчатое колесо, которое входит в зацепление со штифтом, установленным на стенке камеры осаждения, и поворачивается;
приводной винт, соединенный с зубчатым колесом, причем приводной винт соединен для поступательного перемещения теневой маски по полупроводниковой пластине по мере вращения полупроводниковой пластины на поворотном столе.
12. Тактовый привод по п. 11, в котором штифт может быть расположен с возможностью вращения зубчатого колеса по часовой стрелке или против часовой стрелки либо выведения из зацепления для обеспечения неподвижной теневой маски.
13. Волноводный ответвитель, содержащий:
один или более слоев оболочки; и
по меньшей мере один слой преобразователя, осажденный между упомянутыми одним или более слоями оболочки и сердцевиной, который равномерно изменяется по свойству материала поперечно, причем упомянутый по меньшей мере один слой преобразователя модифицирует особенность оптического пропускания.
14. Волновод по п. 13, в котором свойством материала является толщина слоя.
15. Волновод по п. 13, в котором свойством материала является показатель преломления.
16. Волновод по п. 13, в котором один из упомянутого по меньшей мере одного слоя преобразователя содержит одну или более примесей люминофора.
17. Волновод по п. 13, в котором упомянутый по меньшей мере один слой преобразователя образует один или более горизонтальных p-i-n-переходов.
18. Волновод по п. 13, при этом в волновод вводится концентрированное солнечное излучение.
19. Волновод по п. 13, в котором упомянутый один или более слой преобразователя содержит прилегающий к волноводу профилированный слой с градиентным показателем преломления.
20. Волновод по п. 19, при этом упомянутый волновод включает в себя второй волноводный ответвитель, который вводит солнечное излучение в оптическое волокно.