Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп - RU2015102827A

Реферат

1. Светоизлучающий полупроводниковый прибор, содержащий пакет слоев, причем пакет слоев включает катод, полупроводниковый слой, содержащий эмиссионный материал с излучением в диапазоне 300-900 нм, изолирующий слой и анод, при этом катод находится в электрическом контакте с полупроводниковым слоем, при этом анод находится в электрическом контакте с изолирующим слоем, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне до 50 нм, и при этом полупроводниковый слой содержит слой легированного алюминием оксида цинка-магния с 1-350 млнAl.2. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1, при этом эмиссионный материал имеет зону проводимости при CBp эВ и валентную зону при VBp эВ от уровня вакуума, с CBp>VBp, причем барьерный слой имеет зону проводимости при CBb эВ и валентную зону при VBb эВ от уровня вакуума, с CBb>VBb, причем CBb>CBp, и причем VBb≤VBp+1,5 эВ.3. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой содержит эмиссионный материал, выбранный из группы, состоящей из ZnO, (Zn,Mg)О, ZnS, ZnSe, CdO, CdS, CdSe и легированных вариантов любого из них.4. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой имеет номинальный состав ZnMgO с 1-350 млнAl, причем х находится в диапазоне 0