Применение по меньшей мере одного бинарного соединения элемента группы 15, 13/15 полупроводникового слоя и бинарных соединений элемента группы 15 - RU2017114394A
Код документа: RU2017114394A
Формула
1. Применение по меньшей мере одного бинарного соединения элемента группы 15 в качестве эдукта в методике осаждения из паровой фазы,
в котором по меньшей мере одно бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулой
в которой
- R1, R2, R3 и R4 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу, и
- Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As, Sb и Bi,
в которой Е=Е' или Е≠Е', и
в котором гидразин и его производные исключены из указанного применения, и/или
в котором по меньшей мере одно бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулой
в которой
- R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу, и
- Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As, Sb и Bi,
в которой Е=Е' или Е≠Е',
2. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (I) и
- R1 и R2 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу, и
- R3=R4=Н.
3. Применение по п. 2, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (I) выбрано из группы, включающей tBu2P-NH2, (CF3)2P-NH2, Ph2P-NH2, tBu2P-AsH2, tBu2As-NH2, tBu2As-PH2, Ph2As-PH2, tBu2Sb-NH2 и tBu2Sb-PH2.
4. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (I) и
- R1, R2 и R4 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу, и
- R3=Н.
5. Применение по п. 4, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (I) выбрано из группы, включающей tBu2As-PHMe, tBu2Sb-NHtBu, tBu2Sb-PHtBu и tBu2Sb-NHiPr.
6. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15, описывающееся общей формулой (I), и R1, R2, R3 и R4 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу.
7. Применение по п. 6, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (I) выбрано из группы, включающей Me2As-AsMe2, tBu2Sb-NMe2, iPr2Sb-PMe2, Et2Sb-NMe2, Et2Sb-P(C6H5)2, tBu2Bi-PtBu2 и tBu2Bi-AstBu2.
8. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) и R5=Н.
9. Применение по п. 8, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) выбрано из группы, включающей HP(AstBu2)2 и HN(SbtBu2)2.
10. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) и
- R5 выбран из группы, включающей алкильный радикал (С1-С10) и арильную группу, и
- R6=R7=Н.
11. Применение по п. 10, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (ii) выбрано из группы, включающей tBuP(NH2)2, tBuAs(NH2)2 и (C6H5)P(NH2)2.
12. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) и
- R5 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (С1-С10) и арильную группу, и
- R6=Н.
13. Применение по п. 12, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) выбрано из группы, включающей nBuP(AsHMe)2 и (C6H5)P(AsHMe)2.
14. Применение по п. 1, отличающееся тем, что эдуктом является бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) и
R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу,
15. Применение по п. 14, отличающееся тем, что бинарное соединение элемента группы 15 общей формулы (II) выбрано из группы, включающей tBuAs(NMe2)2, m-F3CC6H4As(NMe2)2 и tBuAs(PMe2)2.
16. 13/15 Полупроводниковый слой, который можно получить по методике осаждения из паровой фазы с использованием по меньшей мере одного бинарного соединения элемента группы 15 по одному из п.п. 1-15 в качестве эдукта в методике осаждения из паровой фазы.
17. Бинарные соединения элемента группы 15, описывающиеся общей формулой
в которой
- R1, R2, R3 и R4 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу, и
- Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Р, As, Sb и Bi,
в которой Е≠Е',
или
описывающиеся общей формулой
в которой
- R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10) и арильную группу,
- Е выбраны из группы, включающей N, Р, As, Sb и Bi, и
- Е' выбраны из группы, включающей Р, As, Sb и Bi,
в которой Е≠Е'.
